铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

MCU更佳的应用伴侣——FM31系列

FM31XX是Ramtron公司最有竞争力的产品系列，包含4K-256K的铁电存储器，精度为＋2．17PPM的RTC，低电压复位，看门狗复位和低电压检测，8个可以锁定的特殊存储和2个16位的频率高达10M的计数器。     

Ni53Mn21Fe1Ga25铁磁性形状记忆合金的显微组织和相变行为

主要研究了少量掺铁对NiMnGa铁磁性形状记忆合金的相变行为和显微组织的影响.透射电镜结果表明1%(原子分数)Fe元素的加入并不会改变基体NiMnGa合金的显微结构,母相仍为L21有序结构,马氏体为7M马氏体,其亚结构为孪晶.DSC结果表明在马氏体逆相变发生前存在一个预相变,这在NiM1nGa系合金中还是第一次发现.研究表明掺铁NiMnGa合金仍然具有良好的磁性能.     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟

文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管（FEMFET）的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用，由于铁电层反偏偶极子的开关作用，自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化，并由直观原型的方法得到了验证。     

铁电存储器原理及应用

本文介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理，详细分析了其读写操作过程及时序。将FRAM与其他存储器进行了比较，分析了在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FRAM与8051系列单片机的实际接口，着重分析了与使用一般SRAM的不同之处。     

溶胶—凝胶法制备PCT铁电陶瓷

本文报导了通过溶胶－凝胶法制备Ｐｂ１－ｘＣａｘＴｉＯ３（ｘ＝０．１￣０．３）铁电陶瓷原料粉末，所得粉末具有较高的活性、纯度和均匀度。研究了不同掺ＣａＯ量对晶体结构和烧结温度的影响。在ＰＣＴ晶相生成前未发现有烧绿石或其它过渡晶相的出现。使用该粉末通过１０００￣１２００℃的烧结过程，所得ＰＴＣ陶瓷可达理论密度的８８￣９４％。     

沉积在Pt电极上的铁电PZT薄膜特性

研究了射频磁控溅射沉积在Pt电极上的Pb（Zr0．53Ti0．47）O3薄膜特性。经过不同温度退火处理后得到了钙钛矿结构的PZT薄膜。在对其结构的形成和变化进行研究的基础上，探讨了薄膜PZT相的形成机理。其电性能的测试表明，这种铁电PZT（53／47）薄膜具有较好的铁电性能和疲劳特性。在600℃下PZT薄膜的剩余极化强度Pr为24．8μC／cm2，矫顽场强度Ec为70kV／cm。210kV／cm的电场下，疲劳循环直到4×108次时，最大极化强度仍有20．6μC／cm2，降低了约34％，其剩余极化强度保持为10μC／cm2左右。