浮栅技术及其应用

介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况。井对2种应用了浮栅技术的典型器件-浮栅MOS晶体管和神MOS晶体管做了详细介绍，分析了他们的基本结构和工作原理，以及建立浮栅MOS晶体管的等效模型，并说明了他们的应用情况及存在的不足。     

液晶微位移传感器

液晶微位移传感器的工作原理是以负介电各向异性的向列相液晶材料的动态散射效应为基础的，文中给出了这种传感器的结构，测量方法、精度、应用范围和实验结果；研究了在阈值电压附近光的吸收和散射，讨论了该传感器的稳定性和遥控方法。     

Prevention from Soft Errors via Architecture Elasticity

Due to the decreasing threshold voltages, shrinking feature size, as well as the exponential growth of on-chip transistors, modern processors are increasingly vulnerable to soft errors. However, traditional mechanisms of soft error mitigation take actions to deal with soft errors only after they have been detected. Instead of the passive responses, this paper proposes a novel mechanism which proactively prevents from the occurrence of soft errors via architecture elasticity. In the light of a predictive model, we adapt the processor architectures h01istically and dynamically. The predictive model provides the ability to quickly and accurately predict the simulation target across different program execution phases on any architecture configurations by leveraging an artificial neural network model. Experimental results on SPEC CPU 2000 benchmarks show that our method inherently reduces the soft error rate by 33.2% and improves the energy efficiency by 18.3% as compared with the static configuration processor.     

深亚微米集成电路静态功耗的优化

随着工艺的发展,器件阈值电压的降低,导致静态功耗呈指数形式增长。进入深亚微米工艺后,静态功耗开始和动态功耗相抗衡,已成为低功耗设计一个不可忽视的因素。针对近年来提出的各种降低静态功耗的设计方法,本文进行了总结。对源极反偏法、双阈值法、变阈值法、多阈值法的原理和应用进行了分析和说明,并通过对各种方法的优缺点进行比较,旨在为集成电路设计人员提供减小静态功耗方面的设计思路和努力方向。     

GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制(续)

从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL.在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果相吻合,证明求解薛定谔方程是研究异质结场效应管电荷控制的有效方法.考虑外沟道渗透到内沟...     

短沟Trench MOSFET阈值电压解析模型

传统MOS器件的阈值电压模型被广泛地用于分析Trench MOSFET的阈值电压,这种模型对于长沟道和均匀分布衬底的MOS器件来说很合适.但是对于Trench MOSFET器件来说却显现出越来越多的问题,这是因为Trench MOSFET的沟道方向是垂直的,其杂质分布也是非均匀的.本文基于二维电荷共享模型,给出了Trench MOSFET的一种新的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律,模型的结果和器件仿真软件Sivaco TCAD的仿真结果吻合较好.该模型较好地解决了以往所用的Trench MOSFET阈值电压模型计算不准确的问题.     

一种新型片内CMOS集成温度传感器的设计

设计一种与CMOS工艺完全兼容的集成温度传感器,依据阈值电压和载流子迁移率随温度的变化关系,将阈值电压差微小变化转换成频率,输出数字型温度检测结果,电路结构简单、能够自启动.用Spectre对其性能进行仿真分析,结果表明:该传感器具有线性好、灵敏度高,并易于和片上系统一次性集成等特点.     

动态功率管理技术研究

随着工艺技术的缩减,功耗问题日益严重,低功耗优化技术成了当前研究的一大重点.对处理器的功耗优化可以从设计过程、运行过程和空闲状态来考虑.本文重点研究了处理器在运行时的功率管理技术,即动态功率管理技术.它主要包括动态电压缩减DVS (Dynamic Voltage Scaling)和动态阈值电压缩减DVTS (Dynamic VTH Scaling)的方法,其中DVTS又是通过对衬底偏压的调整来实现阈值电压的调制的.本文重点研究了这两种技术的原理和实现结构,并分析了它们目前的研究和应用.     

MOS晶体管的阈值电压不匹配特性

集成电路中器件的匹配性对于模拟电路和数字电路的设计有着很重要的影响,而现在重要的是还缺乏精确的器件匹配的模型。在模拟集成电路设计中,MOS管阈值电压的匹配特性对集成电路尤其是电流Ids的大小有着重要的影响。基于短沟道系列模型,MOS氧化层中的固定电荷和杂质原予服从泊松分布,分析了NMOS和PMOS器件不匹配的物理原因,并验证σVT/VT遵循与1/(?)成比例的结论。     

短沟道MOST阈值电压温度系数的分析

本文分析了短沟道ＭＯＳＴ阈值电压在室温以上的温度特性，并给出了它的温度系数计算公式。根据计算结果，可以得到如下结论：短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数随着沟道长度缩短而减小．与长沟道ＭＯＳＴ相似，在一定的温区范围内，可以把短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数作为常数，用线性展开式来表达阈值电压的温度特性。