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1.
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm. 相似文献
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本文研究了具有典型分解特征的Al-Zn-Ce非晶合金的形成和晶化过程,探讨了各种相的生成顺序。XRD和DSC测试结果表明强烈的化合物短程序有利于Al-Zn-Ce非晶合金的形成。在Al-Zn-Ce非晶合金的晶化过程中存在复杂的相选择行为,多种相的竞争形核和有限生长使其具有复杂的结构特点。同时,结果也表明冷速对该体系非晶的形成有很大影响。 相似文献
6.
用正电子湮没多普勒展宽能谱测量和分析了若干急冷淬火制备的薄带,表明软磁Fe基纳米晶合金中的缺陷(自由体积)远多(大)于其晶化前的非晶态;能够晶化成纳米晶的Fe基非晶制备态材料中的缺陷也多(大)于类似成分但又不能晶化成纳米晶的非晶态材料中的缺陷;Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5b9.0合金的急冷淬火制备态在热处理过程中,低温退火时缺陷减少,高于200℃的退火导致缺陷增加,纳米晶化后的进一步退火缺陷基本不增加;Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5B9.0合金纳米晶化后,在所选定的测量条件下没有发现正电子湮滑参数时间,温度的变化,说明该材料缺陷结构相当稳定。 相似文献
7.
非晶型磷化成膜技术的研究 总被引:4,自引:3,他引:1
就非晶型磷化成膜技术的工艺方法、膜层的理化性能、质量控制因素等作了必要的论述,并对成膜机理进行了有益的探讨。本技术已经获得了工业上的实际应用,受到了越来越多的用户的欢迎。 相似文献
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