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1.
该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e33增加、刚度 下降,导致Al1-xScxN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al1-xScxN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。 相似文献
2.
3.
讨论了一类高次Diophantine方程的求解问题,并给出了该Diophantine方程在n为偶数时的所有整数解。 相似文献
4.
分析在三相不平衡电力系统中产生无功与高次谐波的原因及其危害 ,并提出有源型无功与高次谐波抑制装置的数学模型 相似文献
5.
本文从三级像差理论出发,推导了几种工艺球面检验凸二次曲面的计算公式。根据这些公式计算结果,进行了光路追迹,给出了这些公式对凸二次曲面的补偿范围;并讨论了几种特殊情况下的平面解。 相似文献
6.
7.
8.
9.
张申媛 《上海电力学院学报》2009,25(4):409-411
利用平面自治系统的极限环和分支理论,研究了一类具有普遍意义的高次多项式系统,讨论了该系统极限环的存在性和唯一性. 相似文献
10.
根据三次谐波反电势控制法对电机设计的要求,对平行充磁且极弧系数小于1、平行充磁且每极分2块、径向充磁且极弧系数为1共3种转子结构进行了研究.研究发现第一种和第二种结构均能在电机相绕组中产生足够大的三次谐波反电势.同时还对3种不同的转子结构引起的额定负载转矩下的转子涡流损耗进行了对比研究,结果表明,第三种结构引起的转子涡流损耗小于第一种结构,第一种结构引起的转子涡流损耗小于第二种.但是第三种结构应用较少,因为永磁体充磁时需要专门的工装夹具,加工困难.第一种结构和第二种结构容易实现.采用第一种结构制作了一台样机,并进行了实验验证,实验表明了设计的正确性. 相似文献