流延法制作AlN陶瓷基片工艺

研究出一种用流延法制作ＡＩＮ陶瓷基片的工艺。制备出性能优良的ＡＩＮ基片。经１６５０℃，保温２ｈ无压烧结制得的基片，其热导率达１３０Ｗ／（ｍ·Ｋ）、密度为３．３４ｇ／ｃｍ￣３，表面光滑平整，瓷体结构均匀，性能达到用干压法制备的同类基片的性能。     

面向AIS医疗应用服务的系统研究与开发

肿瘤是当前医学领域尚未完全攻克的难题,针对这一现象,提出了一种借用人工免疫系统模型,通过嵌入式技术等实现手段,探讨了利用人工智能技术治疗肿瘤病患者的方法。该思路的重点在于利用人工免疫网络具备联想、耐受与自稳等特性,通过将其以适当的方式作用于人体,达到激发人体固有免疫系统,恢复原有免疫功能、提升人体抵抗病原侵入的能力,从而达到自愈的目的。详细介绍了系统的设计方法、硬件构成和应用情况,在一定程度上为人工免疫网络的应用研究拓宽了思路。     

A parallelized artificial immune network for fuzzy clustering

An artificial immune network (AIN), AINFCM, has been successfully used for fuzzy clustering to overcome the shortage of FCM algorithm that is sensitive to the selection of initial centres. However, as a stochastic searching algorithm, the runtime of AINFCM goes up especially when dealing with large quantities of data or generating much more antibodies for clone selection. In this paper, the PAINFCM is proposed for parallel affinity calculation of antibodies according to time complexity of AINFCM algorithm. Subsequently, a coarse-grained version of PAINFCM algorithm was proposed to parallelize clone expansion. Experiments indicated that the PAINFCM improves efficiency of AIN. Furthermore, it provides a good balance between global searching ability and run time of the AIN.     

10B21含硼冷镦钢轧后结疤成因分析及工艺改进

通过实验及热力学分析得出,轧制10B21钢结疤形成主要原因为钢中平均N含量为127×10^-6,导致铸坯角部冷却过程中在奥氏体晶界析出细小的BN和AlN夹杂,增加了铸坯的裂纹敏感性,形成铸坯裂纹。通过提高铁水比≥920 kg/t、转炉终点C-T-P(碳-温度-磷)命中率≥85%、出钢口圆流出钢以及LF加热次数≤3次,时间≤25 min等措施可将钢中的氮含量稳定控制在≤50×10^-6,有效避免10B21钢轧后盘条结疤,提高成材率,降低成本。     

纳米AlN润滑材料的制备研究

从分子设计的角度,采用溶液聚合法将极性单体马来酸酐（MAH）接枝到低分子量的聚丁二烯液体橡胶（LMPB）分子长链中,制备了一种新的大分子表面处理剂（LMPB—g—MAH）,并用其对纳米氮化铝粉体进行表面修饰。对合成的接枝共聚物,改性前后的纳米AIN运用IR、TEM、TGA、粒径分析、接触角、沉降实验等方法进行了表征。实验结果表明：马来酸酐（MAH）已经接枝到低分子量的聚丁二烯液体橡胶（LMPB）分子长链中;当马来酸酐（MAH）的接枝率为9％～11％,用量为10％-12％时,处理后的纳米AIN粉体,颗粒粒径最小,有效阻止了纳米颗粒的团聚。当改性后的纳米A1N以0．2％（质量分数）分散于长城润滑油（H-286）中,可明显提高其抗磨减摩性能及承载能力,极压值由1000N提高为1376N。     

氮化铝超微细粉制备规律的研究

利用直流电弧等离子体具有的高温、高反应活性和高的急冷速度等特点，通过氮等离子体与金属铝反应的方法，制备了平均粒径为５０ｕｍ的高纯氮化铝（ＡＩＮ）超微细粉，并对氮化反应原理及ＡｌＮ的成核机理进行了探讨。结果表明，等离子条件下的化学反应是极其复杂的，等离子态有利于氮化反应。ＡｌＮ的成核速率与反应物的浓度和反应温度有关。实验中，通过控制反应气体的分压、反应的温度及冷却速度等工艺参数，制备出了粗径可控的ＡｌＮ超微细粉。     

EFFECT OF HEAT-TREATMENT ON THE MECHANICAL PROPERTIES OF AIN/SICw(Y_2O_3+SiO_2)COMPOSITE

In the paper, the effect of heat-treatment on thestrength and toughness of AlN-SiC whisker composites with Y_2O_3+SiO_2 additives have been studied. When the sample contining 10wt%Y_2O_3+SiO_2(Y_2O_3/SiO_2=1/0. 66) was treated at 1330℃ in air for 140hours,the flexural strength of composites was raised from 481 MPa to784 MPa the toughness was also enhanced slightly. The phase composi-tion microstructure and grain boundary phase structure have been char-acterized by combining XDR, SEM, TEM/EDXA and HREM tech-niques. reinforcenent and toughening mechanism of the composites re-sults from the crystallization of glass phase in the grain boundary atthe high temperature oxidizing atmosphere to form the crossing struc-ture of 2H°sialon fibrous phase and SiC whisker     

用于高温压力传感器的AIN绝缘膜的研究

采用直流磁控反应溅射法制备了高温压力传感器用的AIN薄膜。用X射线衍射对薄膜的晶向结构进行了分析，研究了薄膜的绝缘特性和化学稳定性，分析了AIN与Si的热膨胀系数、热导系数的关系。选用AIN在力敏电阻条和硅弹性膜之间进行绝缘隔离，由于无p-n结，力敏电阻无反向漏电，得到了极好的压力传感器特性，即零点电漂移及热漂移小及非线性小。     

反应溅射AlN的模拟

研究了用反应磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜。由于铝和氮化铝二次电子发射系数有很大的不同,导致制备时会在金属模式和化合物模式间出现一个很大的跃迁。为了准确描绘实验结果,建立了一个反应溅射模型。该模型以Berg在1988年提出的模型为基础,包括了靶上二次电子发射系数的变化。利用该模型能够预测溅射行为,计算结果与实测值相符。     

GaN／AIN量子点结构中的应变分布和压电效应

从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发，采用有限元方法计算了GaN／AIN量子点结构中的应变分布，研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度．结果表明，应变导致的压电极化和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体所特有的自发极化将导致电荷分布的变化，使电子聚集在量子点顶部，空穴聚集在量子点下面的湿润层中，在量子点结构中产生显著的极化电场，并讨论了电场的存在对能带带边的形状以及能级分布的影响．