复合助剂对低温常压烧结AIN性能的影响

研究了Y2O3,LiO2,CaO烧结助剂对AlN陶瓷常压烧结致密度和性能的影响。结果发现,同时添加Y2O3,LiO2,CaO作为助剂,在1600℃低温烧结就能获得具有高致密度、较小的晶粒尺寸(1μm~4μm)、较高的抗弯强度(331MPa)、断裂韧性(3.8MPa·m1/2)及导热率(118W·m-1·K-1)的AlN陶瓷。     

填料并用对双组分室温硫化导热硅橡胶性能的影响

以α,ω-二羟基聚二甲基硅氧烷为基胶,Si3N4、AlN、Al2O3为导热填料,制备了填充型双组分室温硫化（RTV-2）导热硅橡胶.研究了填料Si3N4/Al2O3或AlN/Al2O3并用对RTV-2硅橡胶导热性能、工艺性能及力学性能的影响.结果表明,当填料的总体积分数为0.45时,对于Si3N4/Al2O3填充体系,随着体系中Al2O3体积分数的增加,RTV-2导热硅橡胶的热导率先升后降、拉伸强度先增后减,而扯断伸长率则呈逐渐升高的趋势,基料的粘度先减后增;当Al2O3的体积分数为0.14时,RTV-2导热硅橡胶的热导率最高、拉伸强度最大,基料的粘度最小,综合性能最佳.对于AlN/Al2O3填充体系,随着体系中Al2O3的体积分数的增加,RTV-2导热硅橡胶的热导率先升后降、拉伸强度及扯断伸长率先减后增,基料的粘度呈上升趋势;当Al2O3的体积分数为0.07时,RTV-2导热硅橡胶具有较好的导热性能和工艺性能,但力学性能偏低.     

AlN-BN复合陶瓷制备工艺研究进展

本文详细介绍了AlN-BN复合陶瓷材料制备工艺的研究状况,包括AlN、BN粉末的合成制备和AlN-BN复合材料的制备工艺,评述了各种方法和工艺的优缺点。最后指出了粉末制备工艺中的自蔓延高温合成法、电弧等离子体法和烧结工艺中的反应烧结、放电等离子烧结是很有价值的研究方向。     

Cu掺杂AlN的铁磁稳定性的第一性原理计算

文章采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,结合广义梯度近似计算了Cu掺杂AlN的晶格常数、能带结构、电子态密度、铁磁态和反铁磁态的总能量,并通过平均场近似的海森堡模型估算了居里温度Tc。结果表明,Cu掺杂体系的能带结构呈现半金属性,半金属能隙为0.442eV。铁磁性是Cu原子的3d态与其最近邻的N原子的2p态通过p-d杂化作用而稳定的。当两个Cu原子相距最远且自旋平行排列时,体系具有最低的能量,估算出此时的居里温度高于室温,因此Cu掺杂AlN有望作为稀磁半导体材料。     

反应烧结制备Ti_2AlN-TiN复合材料

采用2Ti/2Al/3TiN粉体为原料,通过反应热压烧结,以制备Ti2AlN-TiN复合材料。采用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电镜（FE-SEM）结合能谱仪（EDS）分析试样。研究结果表明,在1350℃保温2h,压力为30MPa,可烧结得到组织细小、致密的Ti2AlN-TiN复合材料。材料中层片状Ti2AlN晶粒长约5m,TiN晶粒大小为1~2m。复合材料具有良好的机械性能,其显微硬度与弯曲强度分别达8.57GPa和450MPa。     

Effect of AlN addition on the electrical resistivity of pressureless sintered SiC ceramics with B4C and C

The effect of 0–12 wt% AlN addition on the electrical resistivity of SiC ceramics pressureless sintered with 0.7 wt% B₄C and 2.5 wt% C additives was investigated. The elemental analysis of SiC grains revealed a codoping of Al and N in the SiC lattice with a higher N concentration with 1 wt% AlN addition and a higher Al concentration with 12 wt% AlN addition. The electrical resistivity decreased by four orders of magnitude (1.7 × 10⁵ → 8.3 × 10¹ Ω cm) with 1 wt% AlN addition due to the increased carrier density (1.7 × 10¹⁰ → 2.3 × 10¹⁵ cm⁻³) caused by excess N-derived donors. However, subsequent AlN addition (4 → 12 wt%) led to an increase (2.9 × 10³ → 1.2 × 10⁴ Ω‧cm) in electrical resistivity due to (1) increased Al dopants which act as deep acceptors for trapping N-derived carriers causing a decrease in carrier density (2.3 × 10¹⁵ → 5.9 × 10¹³ cm⁻³), (2) the formation of electrically insulating SiC-AlN solid solution, and (3) the presence of electrically insulating AlN grains at the grain boundaries.     

INTERFACIAL REACTIONS OF METAL FILMS WITH AlN SUBSTRATE

ＩＮＴＥＲＦＡＣＩＡＬＲＥＡＣＴＩＯＮＳＯＦＭＥＴＡＬＦＩＬＭＳＷＩＴＨＡｌＮＳＵＢＳＴＲＡＴＥＨｅＸｉａｎｇｊｕｎ；ＴａｏＫｕｎ；ＦａｎＹｕｄｉａｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｔｓｉｎｇｈ...     

SHS法制备AlN粉体的研究

以Al，N2为合成原料，AlN为稀释剂，4F为燃烧调节剂，NH采用SHSSelf-propagating High-temperature Synthesis）摘要以（法合成AlN粉体，实验系统地研究了稀释剂含量、燃烧调节剂含量、N2压力等因素对AlN合成率和粒径的影响。结果表明：在稀释剂AlN外加量为40%，燃烧调节剂NH4F外加量为5%，N2压力为8MPa条件下，AlN合成率为100%，粉体的平均粒径小于2μm。采用XRD、SEM、XDC等检测手段对粉体的物相组成和形貌进行表征，揭示了粉体性能与工艺因素之间的关系。     

生长温度对纳米AlN薄膜的表面形貌和结晶特性的影响

采用射频(RF)反应磁控溅射方法制备了具有原子级平滑表面的纳米AlN薄膜。利用傅立叶红外光谱(FTIR)、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)、卢瑟福背散射(RBS)等分析方法对不同实验条件下合成的AlN薄膜进行了表征，研究了不同沉积温度(室温约550℃)下的AlN薄膜的表面形貌特征和结晶特性，探讨了AlN薄膜表面形貌的变化规律及纳米薄膜的形成机制。分析结果显示：不同沉积温度下合成的AlN薄膜均具有原子量级平滑的表面，薄膜表面粗糙度(RMS)为0．2～0．4nm，且不随沉积温度的增加而发生明显变化；薄膜的晶粒尺度为20～30nm，薄膜的折射率随沉积温度的增加而增加。     

稀土掺杂注射成形AlN陶瓷的结构与性能

以自蔓延法合成的AlN粉末为原料,加入5%Y2O3为烧结助剂,选用PW∶PP∶SA=60∶35∶5的粘结剂体系,以注射成形的方法制备了具有高热导率的、形状复杂的AlN陶瓷制品。脱脂采用溶剂脱脂与真空热脱脂相结合的工艺,脱脂后的坯体在高温碳管炉中流动N2气氛下进行烧结。利用XRD进行物相分析,SEM观察断口形貌,排水法测烧结试样的密度,激光闪光法测烧结试样的热导率。结果表明:当烧结温度在1850℃,保温4 h,得到致密度为3.28 g.cm-3,热导率为200 W.m-1.K-1的AlN陶瓷制品。AlN中的晶界第二相主要为Al2Y4O9。