S波段低噪声放大电路设计

使用基于E-PHEMT新型工艺的放大器ATF-54143,设计通信系统中低噪声放大电路模块.首先将ATF-54143模块的参数导入ADS仿真软件中,然后设计电路的直流偏置工作点,最后根据输入/输出端口仿真的得出阻抗特性设计匹配电路,将设计电路制成实物测试,低噪声放大电路工作频率范围在3.8～4 GHz,增益达15 dB,噪声系数为1.4 dB,性能良好、稳定,满足设计指标要求.     

9～15GHz GaAs E-PHEMT高性能线性功率放大器

基于0.15 μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC).采用栅宽比为1:4.4的两级放大结构保证了电路的增益和功率指标满足要求;基于大信号模型实现了最优输入输出阻抗匹配:采用电磁场仿真技术优化设计的MMIC芯片尺寸为2.5 mm×1.1 mm.芯片的在片测试结果表明,静态直流工作点为最大饱和电流的35％、漏压为5V的条件下,在9 ～15 GHz频率内,MMIC功率放大器小信号增益大于20 dB,1 dB压缩点输出功率不小于27 dBm,功率附加效率不小于35％,功率回退至19 dBm时三阶交调不大于-37 dBc.     

高线性度PHEMT达林顿放大器

使用E-PHEMT工艺,结合有源自偏置技术与达林顿放大器技术,制作一种新型E-PHEMT达林顿反馈放大器。相较于传统结构,这种新型结构具有显著的两大优点,采用E-PHEMT的技术使放大器线性度获得较大提高。在0.5~3 GHz的频率范围内,5 V供电电压的情况下,新型放大器可以保持21.5 dBm以上的P1dB;8 V情况下,更是能达到23.5 dBm以上的P1dB;采用有源自偏置技术以后,取消了传统结构中的偏置电阻,减少了电压消耗,使电源效率提高了近40%,并且使得偏置电流、增益、IP3和P1dB对温度的敏感度大大降低。     

采用混和稳定方法设计L频段放大器

微波放大器设计中,首要考虑的问题是管子的稳定性。通常只考虑在给定的频段和一定的负载下管子是否稳定工作,如果负载阻抗在整个频段内(直流至管子的截至频率)变化较大,则管子可能在其他频段内振荡,从而进入饱和状态,在预定的频段内失去放大功能[1]。针对Agilent的高增益、非绝对稳定的E-PHEMT管ATF55143,通过理论分析和EDA仿真,采用混和稳定方法,使之在整个频段内无条件稳定,设计出实际电路进行验证,达到预定增益目标。