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1.
2.
通过粉末法XRD检测熟料的矿物组成,运用excel数据分析工具,进行多元回归,可快速准确地推算熟料的3d强度和28d强度。  相似文献   
3.
<正>邯郸埃斯尔雾化粉末有限公司创建于1995年,占地面积10600平方米,总投资1200多万元,年生产能力1500多吨。本公司是由英国提供的世界一流的超高压水雾化、(氮气保护)生产设备和技术。现有两套水雾化、(氮气保护)生产流水线。主要产品有:1、压制-烧结制品用不锈钢系列,工具钢系列,铜合金粉末。(通用型-100目和-80目粉末。)2、粉末冶金注射成形制品,注射成形用微细(2-30微米)不锈钢粉末及其它合金粉末。  相似文献   
4.
木易 《粉末冶金技术》2006,24(4):279-279
日前,建德市易通金属粉材厂4万吨水雾化铁粉生产线正式投产,并正式更名为建德易通金属粉材有限公司。建德易通自1996年开始生产水雾化金属粉材,经过十年的发展,目前已经发展成为国内大型的水雾化粉末生产企业之一。  相似文献   
5.
《山东食品发酵》2006,(1):42-42
我国台湾地区的品高公司日前推出新型智能型高速自动充填包装机PS-2000。该机适用于三面封、四面封、三角形立体包装,如休闲食品、糖、盐、米、淀粉、调味料、咖啡粉、豆类等颗粒原料或粉末产品的包装。  相似文献   
6.
纳米AlN粉末的制备与烧结   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100 nm的AlN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性.实验表明:以合成的AlN粉末为原料,添加5%(质量比)Y2O3作为烧结助剂,在常压、流动N2气氛下1600℃保温3 h,制备出平均晶粒尺寸为4~8 μm、密度为3.28 g·cm-3的AlN陶瓷;将同样的粉末不加任何烧结助剂,采用SPS技术在1600℃保温4 min,得到密度为3.26 g·cm-3的AlN陶瓷,晶粒度约为1~2μm.  相似文献   
7.
GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真   总被引:11,自引:2,他引:9  
刘奕  陈海昕  符松 《半导体学报》2004,25(12):1639-1646
采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的流场结构进行了三维数值仿真.数值模拟采用基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解.数值仿真给出了具有复杂几何结构和运动方式的GaN-MOCVD反应室中的流场结构,研究了改变几何尺寸和运行参数对MOCVD反应室流场结构的影响,对正在试制开发中的MOCVD设备的几何结构的改进和运行参数的优化提出了指导性建议.  相似文献   
8.
本文通过对选择性激光粉末烧结的成型过程的分析,讨论了粉床特性、材料热物性以及激光热载荷对成型件质量的影响,并采用有限元的方法对其三维温度场分布进行了模拟计算,  相似文献   
9.
激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析   总被引:2,自引:2,他引:0  
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比,并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时,分界面的温度呈锯齿状不断升高。  相似文献   
10.
随机激光器的最新进展   总被引:5,自引:2,他引:3  
综述了近年来随机激光器的最新研究结果,包括随机激光产生的机制,随机增益介质的制备方法,随机激光器的激励与发光特性和随机激光理论。最后,介绍了随机激光器的应用前景。  相似文献   
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