MIM隧道发光结的负阻现象

本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理，阐述了其Ｉ－Ｖ特性中的负阻现象。简单介绍了ＭＩＭ结构负阻的几种解释，根据热像仪照片和低温测试结果分析，再结合Ｄｅａｒｍａｌｅｙ导电模型，我们提出了ＭＩＭ负阻的物理模型，理论与实验符合较好，最后分析了负阻现象的应用前景。     

多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究

制备AI／多孔硅／c-Si／Al结构的多孔硅发光二极管，利用其I-V特性关系，以及在不同温度下其I-V特性的变化，结合多孔硅的特殊微结构及性质，分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程；通过比较其发光猝灭前后I-V特性的变化，解释了发光猝灭的原因。提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合．是提高多孔硅电致发光效率的一个途径。     

基于Matlab的光伏阵列数学模型的研究

通过对单体光伏电池的物理模型的研究,给出了易于求解、便于仿真的光伏阵列的数学模型,该模型可以计算在任一环境温度、太阳辐射强度下光伏电池的I-V特性;以该模型为基础,在工程误差允许的范围内,给出了可行的最大功率点的计算公式。Matlab仿真结果表明,光伏阵列的输出特性随温度和光强的变化而变化,并且光伏阵列I-V和P-V特性呈非线性;在不同光强和温度下,光伏阵列最大功率点不同,它能较好地反应光伏阵列的实际特性。     

RG——MOSFET的IDS特性分析

以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础，推导出RG—MOSFET一级近似下电流模型的解析表达式，并对其物理机制进行了较详细的分析讨论。     

水泥基pn结实验及其在钢筋锈蚀防护中的应用

在分析混凝土结构中钢筋锈蚀的基本原理和常用保护方法的基础上，提出应用水泥基pn结给钢筋附加一个保护电场，提高钢筋中电子的逸出功，防止氧化，达到保护钢筋的目的．实验研究水泥基pn结的伏安特性的结果表明，由钢纤维混凝土和碳纤维混凝土组成的pn结具有比较典型的pn结伏安特性曲线，能够为混凝土中的钢筋提供所需的保护电场．     

Electronic structure,carrier mobility and device properties for mixed-edge phagraphene nanoribbon by hetero-atom doping

Phagraphene, a new carbon allotrope, was proposed recently. We here select a mixed-edge phagraphene ribbon to study B-, N-, and BN-doping effects respectively on the geometric stability, electronic structure, carrier mobility, and device property. Calculations show that the energetic and thermal stability for these ribbons are very high. With different doping types and doping sites, the bandgap size of a ribbon may be nearly unchanged, increased, or decreased as compared with the intrinsic ribbon, and even become a metal, thus presenting fully tunable electronic structures. For this, the charge transfer shifting edge bands and the new formed hybridized bands due to doping play a crucial role. More interestingly, doping at different positions can regulate the carrier mobility of ribbon, and the difference of two orders of magnitude for hole mobility can be generated by BN-doping. In addition, the study on device property shows that there is a prominent negative differential resistance characteristics occurring in a BN-doped ribbon device. These findings are meaningful for understanding the doping effects on electronic properties of phagraphene nanoribbons.     

纳米级自开关二极管的电学特性研究

纳米级自开关二极管是一种通过破坏器件表面对称性来实现整流特性的纳米级新型晶体管.首先通过建立In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As纳米级自开关二极管的二维器件模型,采用蒙特卡罗方法,模拟了自开关器件的电子输运特性,根据该器件模型研究了在不同几何结构参数条件下的自开关器件的电学特性,并对影响器件电学特性的结构参数进行了仿真分析.结果表明,器件的Ⅰ-Ⅴ特性强烈地受到导电沟道宽度、沟槽宽度、沟道长度和表面态密度的影响,通过优化器件的结构参数可使器件获得更优越的整流特性.     

基于C8051f040单片机的光离子化气体浓度检测电路设计

对光离子化气体浓度的测量,本质上是对其产生的微电流的测量。为此以C8051f040单片机为核心器件,采用内部ADC、信号采集单元设计一种测量系统,可以对0~200×10-6量程范围内的待测气体浓度实时检测并用数码管显示。该系统通过金属屏蔽信号采集单元和在软件编程中采用过采样、数字滤波相结合的方法来提高系统的信噪比。在计算机自动配气系统中测试了二甲醚的气体浓度,误差范围≤0.07×10-6,响应速度快、工作可靠、可作为实际应用。     

Au与p-CZT晶体的接触特性及其CZT表面处理状态的影响

对不同腐蚀、钝化表面处理的CZT晶片与Au接触的I-V特性进行了研究.用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分,发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3.1nm的TeO2氧化层.用Agilent 4339B高阻仪进行未腐蚀、腐蚀与腐蚀钝化的CZT晶片I-V特性测试,结果表明腐蚀和腐蚀钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,相应地减小了漏电流.     

低电压电泳芯片非接触电导检测电路设计(英文)

根据低电压集成电泳芯片柱端非接触高频电导器的结构和非接触高频电导检测的基本原理,设计了非接触电导检测电路.该电路包括AC激励信号发生器、I-V转换器、乘法运算器、低通滤波器和差分放大器.运用较少的元器件和较简单的电路形式实现了检测功能,解决了低电压电泳芯片微弱的非接触电导信号检测困难的问题.通过调节电路参数分别得到了频率为450 kHz和1 MHz,幅值为10 V的正弦信号.在此激励信号下,在集成低电压电泳芯片上对一系列不同浓度的K+溶液进行了非接触电导响应信号的测试.实验结果表明,电路能分辨的离子浓度的下限为10-9;离子浓度为10-9～10-5时,电路响应具有很高的线性度和分辨率.该电路亦可用于其它微弱电导信号检测领域.