退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响

采用铟锡合金靶(铟-锡，90-10)，通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜，并在大气环境下高温退火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明，随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高。     

ITO导电薄膜的用途和制备方法

本文综述了ITO薄膜的应用领域和制备工艺。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示(LCD)。制造ITO薄膜的工艺方法很多,本文综述了磁控溅射法、CVD法、喷雾热分解法和溶胶—凝胶法4种制膜工艺。     

连续激光引起高空中动态靶材破坏的理论计算

本文在文献[1]和[2]的基础上,考虑动态靶目标是受载结构的影响,综合考虑大气吸收、散射、湍流及热畸变效应对激光传输的影响,计算了连续激光引起高空中动态靶目标的破坏阈值。     

中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀

多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时，应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺，如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺，存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工，做了大量实验、质谱分析和多项测试研究，成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀，做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。     

溅射靶材的应用及制备初探

随着电子及信息产业突飞猛进的发展，世界溅射靶材的需求越来越多，本文介绍了靶材的发展概况、分类和应用情况，以及靶材的特性要求．探讨Ni-Cr合金靶材的制备工艺，结果表明，产品能满足靶材特性要求。     

PTC－BaTiO_3射频溅射用靶材的制备

研究了用于射频溅射ＰＴＣ－ＢａＴｉＯ_３薄膜的厚大靶材制备工艺，所制成的靶材的室温电阻率为８００Ω·ｃｍ，ＰＴＣ效应＞１０５，平均粒径为１～３μｍ，讨论了配方中ＴｉＯ_２品种的选择、施受主添加剂的搭配与掺量以及烧成中的升降温速率对于ＰＴＣ效应的影响     

应用ITO膜作电荷收集极的位置灵敏探测器

首次尝试将ITO（Indium Tin Oxide）膜与微通道板（Microchannel Plate）结合用作位置灵敏探测器，并对该探测器的线性、位置分辨及探测效率作了测试，得到了令人满意的结果。     

YBCO高温超导靶材制备工艺研究

进行了用钇钡铜氧（ＹＢＣＯ）系高温超导粉制备磁控和激光溅射超导薄膜用靶材的工艺研究。对靶材原料粉末的质量要求和制靶工艺进行了探讨，对影响靶材质量进而影响膜材质量的主要因素（如成分、纯度、均匀性、粒度及超导电性等）进行了研究。多家超导薄膜研究单位对本工艺靶材的使用结果证明了材料的优良品质，采用本工艺研制的大直径环形靶制出的超导薄膜，Ｊｃ值均在１０￣６Ａ／ｃｍ￣２水平。