用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径

介绍了10Gbit／s速率的甚短距离光传输系统VSR(Very Short Reach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成(OEIC)接收机的可能性和实现方法。     

在ASP.NET招生系统中使用Flash调用摄像头拍照

在ASP.NET招生报名系统中,使用Flash调用摄像头采集学生照片信息。     

High responsivity silicon MOS phototransistors

We describe a metal-oxide silicon (MOS) phototransistor that relies on a novel lateral doping scheme that creates a p-i-n junction configuration for light detection. This is essentially a hybrid device with the horizontal structure of a p-i-n diode and the vertical structure of a MOS field-effect transistor. The lateral p-i-n diode detects light whereas the gate can be used to change the current flowing through the device; making it appear as a MOSFET. This feature makes it easy to integrate it with other conventional MOSFETs on a CMOS process flow. The device shows high optical responsivities that persist to wavelengths in the near-ultraviolet region. The fabrication of the device as well as its electrical and optical characteristics is described.     

聚合物驱采油污水处理研究进展

含聚丙烯酰胺污水是一类比较复杂、特殊的污水,随着各个油田相继采用聚合物驱以提高原油采收率,采油污水的数量在逐年增加,其处理已成为一个亟待解决的问题。综述了采用几种方式降解水中聚丙烯酰胺的可行性研究结果,光催化氧化、硫酸盐还原菌都能使水中聚丙烯酰胺有不同程度的降解。光催化氧化考察了催化体系、光源体系等对HPAM的影响。采用1%的催化剂TiO2使用中压汞灯在紫外光的作用下,可使聚丙烯酰胺(HPAM)分解至8%左右。硫酸盐还原菌在油藏环境条件pH为7左右时,大量繁殖生长,使HPAM大幅度降解。在高温下(60～80℃),聚丙烯酰胺失稳发生降解,高温及高矿化度油藏也会导致HPAM降解。以上研究为解决聚合物采油污水的处理奠定了良好的基础。     

一种基于本体论的照片注释技术

介绍了本体论的概念，然后以动物照片为例建立了用于照片注释的本体论，并用一种类RDF Schema格式的文件表示；最后用JAVA程序实现对照片进行注释，生成RDF格式的注释文件，便于照片信息的快速高效再利用。     

城市建筑风景照片的自动识别和分类

在数字照片的快速检索和浏览域中，需要对照片进行分类，但目前国内外学者对照片的分类的研究并不是很多。提出了一种如何使用图像的低级特征来表示高级语义分类的一种方法来对家度数字照片的进行分类，特别适合于有人工建筑或人工事物的图片。算法根据图像纹理点和边缘点的方向相位立方图来推断照片中是否存在人工建筑，从而达到对城市建筑风景和其它风景分类的目的。实验数据表明，分类效果非常好，算法己在Windows2000下使用VC实现，具有很强的鲁棒性。     

PSD光电自动瞄准系统

介绍了一种计算机控制的ＰＳＤ光电瞄准系统,分析了系统的组成、工作原理以及光电信号的处理方法。ＰＳＤ光电瞄准系统基本实现了导弹初始定向的自动化,其准直精度或方位偏差的测量精度可以达到２″,满足了系统的实际需要。最后阐述了瞄准系统的平台驱动电机的细分控制。     

分子束外延CdTe（211）B／GaAs（211）B的特性研究

ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ是ＨｇＣｄＴｅ分子束外延的重要替代衬底材料。用Ｘ双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ的晶体结构质量，表明外延膜晶体结构完整，具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性，观察到ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ相对于ＧａＡｓ（２１１）Ｂ向着［１１１］方向倾斜一个小角度（约３°），界面的四面体键网发生扭曲，由于晶格失配，在界面存在很高的失配位错密度。用二次离子质谱分析仪分析了ＧａＡｓ衬底中的Ｇａ和Ａｓ向ＣｄＴｅ外扩散的情况。结果表明：如果要在ＧａＡｓ衬底上生长ＨｇＣｄＴｅ外延膜，必须先生长一层具有一定厚度的ＣｄＴｅ来阻止Ｇａ和Ａｓ向ＨｇＣｄＴｅ的外扩散和失配位错的延伸。     

纳米TiQ/炭黑改性PET织物及其导电与光活性的表征

对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)织物进行碱性水解预处理.通过浸渍法以十二烷基硫酸钠作为分散剂在原始的和经预处理的PET中加入纳米炭黑(CB1515和CB156),纳米二氧化钛(NTO)-NCBs(CB1515或CB156)混合物.以柠檬酸(CA)和次磷酸钠(SHP)分别为交联剂和催化剂,分别在预处理前后的PETs中加入NTO+CB1515和NTO+CB156作对比研究.结果表明,CB156比CB1515更能有效地降低样品的电阻率.加入NTO后,由原始PET所制样品比预处理PET所制样品具有更低的电阻率.然而,这与不加NTO所制样品结果相反.通过增加添加量和改善NCBs和NTO在织物中的分散均匀性,采用CA和SHP可明显降低样品的电阻率.发现NCBs与NTO的协同效应可提高预处理织物的紫外吸收.由原始PET中加入NCB和NTO所制样品比预处理的PET对亚甲基蓝降解具有更高活性.通过添加NTO或CA-SHP可提高活性,前者比后者更有效.     

Positive direct-mask stereolithography with multiple-layer exposure: layered fabrication with stair step reduction

In this paper, we explain a new stereolithography involving the separate use of liquid photoinitiator and a base resin (photopolymer resin without photoinitiator). First, the base resin is supplied as a layer, and then a mask pattern is drawn onto the surface with photoinitiator by inkjet printing. When the surface is exposed to a UV lamp, only the pattern drawn with the photoinitiator is cured. In this process, the photoinitiator acts as a positive mask. Also, the idea of multiple-layer exposure, which may enable stair step reduction and fabrication time reduction, is introduced. The proposed idea and method are implemented in an experimental stereolithography system and some experiments are conducted using the system. As a result, the effectiveness and feasibility of the idea and method are confirmed.