应变纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子点中离子施主束缚激子的光学性质

Within the framework of the effective-mass approximation and the dipole approximation, considering the three-dimensional confinement of the electron and hole and the strong built-in electric field(BEF) in strained wurtzite Zn O/Mg0:25Zn0:75O quantum dots(QDs), the optical properties of ionized donor-bound excitons(D+, X)are investigated theoretically using a variational method. The computations are performed in the case of finite band offset. Numerical results indicate that the optical properties of(D+, X) complexes sensitively depend on the donor position, the QD size and the BEF. The binding energy of(D+, X) complexes is larger when the donor is located in the vicinity of the left interface of the QDs, and it decreases with increasing QD size. The oscillator strength reduces with an increase in the dot height and increases with an increase in the dot radius. Furthermore, when the QD size decreases, the absorption peak intensity shows a marked increment, and the absorption coefficient peak has a blueshift. The strong BEF causes a redshift of the absorption coefficient peak and causes the absorption peak intensity to decrease remarkably. The physical reasons for these relationships have been analyzed in depth.     

长春光机所在国际上首次实现ZnO pn结室温电致发光

由长春光机所、厦门大学共同承担的重点项目“氧化锌基单晶薄膜材料、物性及器件研究”已通过国家自然科学基金委员会信息科学部专家组的中期检查验收。经过刻苦攻关，项目组在关键问题上取得了突破，在国内率先获得了ZnO同质结的电致发光，并且在国际上首次实现了蓝宝石衬底生长的Zn Opn结室温电致发光，为今后ZnO蓝紫外发光和激光二极管的发展奠定了实验基础。     

T-ZnO晶须增强环氧树脂复合材料的力学行为

研究了以四脚状氧化锌（T-ZnO）晶须为增强剂，环氧树脂复合材料的力学行为。结果表明，由具有三维空间结构的T-ZnO晶须为增强剂所制备的环氧树脂复合材料具有各向同性的力学性能，T-ZnO晶须填加质量分数为6%时，就可使材料的力学性能改善；拉伸强度提高到169%，拉伸功几乎提高了100%，冲击强度提高到300%，抗弯的断裂功提高到158%，而压缩强度略有下降。     

电沉积纳米ZnO薄膜

在硝酸锌溶液中电沉积ZnO，通过正交试验方法研究槽液浓度、pH值以及电流密度对纳米ZnO薄膜电沉积的作用。用XRD分析了纳米ZnO的组织、结构与成分，SEM获得了纳米ZnO的表面形貌。     

ZnO2-TiO2-NiO系PTCR新型材料的研

ZnO2-TiO2-NiO系PTCR新型材料的研     

氧化锌压敏电阻的老化机理

研究了ZnO压敏电阻的老化现象,提出了一种新的老化机理-线性链理论。该理论认为,在外电场作用下,压敏电阻势垒高度降低;当降低到一定值时,晶界可变电阻转化为线性晶界电阻,从而压敏链转化为线性链。线性链是稳定的,因而压敏电阻老化到一定程度后其电性能将不能完全恢复。     

单根硅纳米线等离子激发色散关系的测量

等离子激发是了解材料的电子态性质的一个窗口。电子能量损失谱是研究材料内等离子激发的一个极好的实验工具[1] 。常见的电子能量损失谱主要是通过研究等离子激发的能量和强度来分别确定材料内部价电子的体密度和样品的厚度 ,比较少的是关于等离子激发能量与散射角度的关系的研究[2 ] ,即物理意义上的等离子激发的色散关系。色散关系和材料的维度及电子与电子的相互作用有关[3 ] ,故研究低维材料激发态的色散关系是一个十分有意义的工作。我们在这里报导测量单根硅纳米线等离子激发色散关系的初步工作。我们选择硅纳米线作为实验体系是因为…     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

生长温度对等离子体增强化学气相沉积生长ZnO薄膜质量的影响

以Zn(C2 H5) 2 和CO2 为反应源 ,在低温下用等离子体增强化学气相沉积方法 ,在Si衬底上外延生长了高质量的ZnO薄膜。用X射线衍射谱和光致发光谱研究了衬底温度对ZnO薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明 ,在生长温度为2 3 0℃时制备出了高质量 ( 0 0 0 2 )择优取向的ZnO薄膜 ,其半高宽为 0 2 6°。光致发光谱显示出强的紫外自由激子发射与微弱的与氧空位相关的深缺陷发光 ,表明获得了接近化学配比的ZnO薄膜