银辐射损伤的扰动角关联研究

采用时间微分扰动角关联方法研究了由~(109)Ag(α;2n)反应产生的反冲核~(111)In在银中产生的辐射损伤及其退火现象和治愈效应。反冲核在银中产生单空位,实验观察到频率为76.2MHz的恒定的四极相互作用;经673K退火,恒定的四极相互作用消失,作用在探针核上的只是远处缺陷产生的电场梯度分布;经873K退火,辐射损伤全部消失。银中辐射损伤与治愈时间关系测量表明,经360h治愈,探针核仍直接捕获缺陷,但相对成分减小到1/3.5;电场梯度分布宽度随治愈时间增长而减小,150h后,不随治愈时间而变。治愈主要发生在辐照后2—10d。     

大型内热式真空退火炉在变压器行业中的应用

重点介绍了大型内热式真空退火炉在变压器行业中的应用,概述了该设备的设计与操作工艺。     

Co0.7Fe2.3O4纳米晶颗粒与薄膜的结构及磁性

用化学共沉法制备了纳米Co0.7Fe2.3O4粉末,用射频磁控溅射镀膜法制备了纳米结构的Co0.7Fe2.3O4薄膜。采用X射线衍射仪及振动样品磁强计对不同热处理温度的样品进行了结构和磁性分析,结果显示,Co0.7Fe2.3O4薄膜的比饱和磁化强度略低于粉体材料,矫顽力高于粉体材料,并且晶粒明显细化。650℃退火薄膜具有最大矫顽力125.2kA·m-1。550℃退火薄膜可同时获得较高的矫顽力和较高的比饱和磁化强度。Co0.7Fe2.3O4薄膜还具有平行膜面方向的择尤取向。     

退火对氧敏CeO2—x薄膜结构及电子组态的影响

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱计算了Ｃｅ＾３＋浓度，研究了退火条件对氧敏ＣｅＯ２－ｘ薄膜的晶体结构及电子组态的影响，ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经９７３Ｋ至１３７３退火后，形成了ＣａＦ２型结构的ＣｅＯ２－ｘ其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚，退火温度在９７３Ｋ至１１７３Ｋ时（２００）晶面是择优取向的，在１３７３退化４ｈ后，可得到热力学稳定的ＣｅＯ２－ｘ在退火前     

电化学沉积Bi_2Te_3薄膜及其发电器件的制备

通过控制不同梯度的电流密度和电沉积时间,利用电化学方法在铜片上沉积Bi/Te薄膜,经不同温度退火处理后生成Bi2Te3;采用SEM(带EDS)和XRD对薄膜的形貌、成分进行分析,研究了电流密度和电沉积时间对晶粒成长的影响,并对用Bi2Te3薄膜制成发电器件的性能进行了研究。结果表明:电流密度越大,Bi2Te3晶粒尺寸越小;电沉积的时间越长,Bi2Te3薄膜越均匀;退火过程中350℃结晶效果最好;退火后可以形成多晶薄膜,颗粒致密均匀,具有一定择优取向性,还可以提高Seebeck系数,达到-123μV/K;对比传统块状粒子发电,电化学沉积制备的Bi2Te3薄膜发电器件更具有优势。     

轻质MgAlSnZnCu高熵合金的微观组织和力学性能

为了提高阻隔层的稳定性,研究采用电磁感应加热方法,在覆盖剂和氩气保护作用下制备MgAlSnZnCu系列轻质高熵合金。使用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDS)对合金的铸造组织、退火组织和物相进行了表征和分析,同时采用显微硬度测试方法对其硬度进行了研究。结果表明,铸态MgAlSnZnCu合金组织由(AlMgZnCu)-FCC相和Mg₂Sn相组成,Mg₂Sn相的形态为2~6 μm粒状和不规则块状。Mg的含量由22%降低到12%,其合金的硬度由277 HV0.2增加到326 HV0.2,抗压强度由223 MPa增加到237 MPa。Sn和Zn含量降低后组织中出现了针状和片状的杂质相,且硬度值分散度较大,在450 ℃保温6 h的退火工艺条件下,组织中的杂质相出现明显的积聚长大的趋势。力学性能测试显示退火对抗压强度和硬度的影响不大,MgAlSnZnCu系列合金在450 ℃的条件下能保持较好的热稳定性。     

冷轧薄板表面线状缺陷分析

某炼钢厂某批次的冷轧DC03薄板出现表面黑色线状缺陷,运用扫描电镜及能谱仪对缺陷部位表面和截面进行了观察分析,结果表明,表面可见大量大小不一的呈脆性特征的铁颗粒,而从截面上看,却发现这些铁颗粒心部包含有大量的FeO。因此推断,黑色线状缺陷是由于FeO压入后经轧制演变暴露于试样表面形成,而在后续退火工艺中块状FeO表层被环境氛围中的氢还原,心部则保留为原来的FeO,应该加强工艺控制来预防。     

非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应

本文报道a-Si∶H本征膜及Pin二极管的1MeV1.4×10¹⁵,4.2×10¹⁵,8.4×10¹⁵/cm²电子幅照实验结果和退火行为.测量了电子辐照对a-Si∶H光暗电导率和光致发光谱的影响,以及a-Si∶H Pin二极管光伏特性和光谱响应随电子辐照剂量的变化.发现电子辐照在a-Si∶H本征膜和二极管中引起严重的损伤,和二极管光谱响应的峰值"红移".但未见饱和现象,还观测到明显的室温恢复现象;但高温退火处理后未能完全恢复.本文对以上实验结果给出了合理的解释.     

激光技术在半导体行业中的应用

激光技术自诞生以来,受到了广泛地关注,并逐步拓展了其应用领域。对激光技术在晶片/芯片加工领域的应用、激光打标技术、激光测试技术以及激光脉冲退火技术(LSA)进行简要的介绍。     

奥氏体不锈钢的组织超细化技术

在试验的基础上研究了获得奥氏体不锈钢超细组织的方法,研究结果表明,原始晶粒尺寸为100 μm的304N不锈钢经1道次等径角挤压变形 退火工艺处理后,晶粒尺寸可显著细化到2～7 μm,强度可提高50%以上,而塑性并不降低;增加等径角挤压变形的道次,经退火后可获得更细小、均匀的再结晶晶粒.