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1
1.
等离子体源离子注入法制备类金刚石薄膜
总被引:2,自引:0,他引:2
马国佳
吴志猛
李新
邓新绿
徐军
唐祯安
《材料保护》
2003,36(5):48-50
用等离子体源注入(PSII)在Si(100)上制备类金刚石膜,放电气体采用CH4,用微波电子回旋共振(ECR)产生等离子体。将-20~-30kV的高压加在衬底上,来提高离子的能量。通过Raman光谱和FT-IR光谱检测了类金刚石膜的化学组成及状态,并对其机械性能和表面形貌进行了检测。结果显示,硅片硬度和摩擦因数得到了改善,用PSII能够制备出性能优良的膜,可以将其应用到微电子器件(MEMS)上去。
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