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1.
ABSTRACTThe RF output power dissipated per unit area is calculated using Runge-Kutta method for the high-moderate-moderate-high (n+-n-p-p+) doping profile of double drift region (DDR)-based impact avalanche transit time (IMPATT) diode by taking different substrate at Ka band. Those substrates are silicon, gallium arsenide, germanium, wurtzite gallium nitride, indium phosphide and 4H-silicon carbide. A comparative study regarding power dissipation ability by the IMPATT using different material is being presented thereby modelling the DDR IMPATT diode in a one-dimensional structure. The IMPATT based on 4H-SiC element has highest power density in the order of 1010 Wm?2 and the Si-based counterpart has lowest power density of order 106 Wm?2 throughout the Ka band. So, 4H-SiC-based IMPATT should be preferable over others for the power density preference based application. This result will be helpful to estimate the power density of the IMPATT for any doping profile and to select the proper element for the optimum design of the IMPATT as far as power density is concerned in the Ka band. Also, we have focused on variation of power density with different junction temperatures and modelled the heat sink with analysis of thermal resistances. 相似文献
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全尾砂高水固化材料在下向充填采矿法中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
全尾砂高水固化材料是20世纪80年开发出来的矿山新型充填材料,本文简要介绍了全尾砂高固化材料下向进路式充填采矿法的充填工艺技术,并与带钢筋混凝土假顶的下向进路式水硫充填法进行了经济比较。 相似文献
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介绍了平煤集团一矿在戊8— 310 40综合机械化采煤工作面开切眼实施煤巷锚网支护的基本情况。总结了经验 ,为同类条件下的锚网支护设计提供了依据。 相似文献
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7.
Bob Eisenberg 《Journal of Computational Electronics》2002,1(3):331-333
Ion channels are proteins with a hole down their middle important in a wide range of biological functions yet simple enough to be analyzed as devices in the engineering tradition. 相似文献
8.
通过对平巷掘进的炮眼排列和雷管起爆段数及顺序的优化组合 ,起爆机理的分析总结 ,得出了一种新的、高效的掏槽方式———圆形掏槽 相似文献
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It is shown that the purely growing electrostatic rippling mode can couple with the shear Alfven wave to give rise to an oscillatory electromagnetic instability in tokamak edge regions. This mechanism can be one of the causes of electromagnetic fluctuations observed near plasma edges. This instability can occur only in the very low temperature regions where resistivity fluctuations can become important due to large electron-ion collision frequency. 相似文献
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