PECVD法生长的nc－Si：H膜电导率的研究

使用ＰＥＣＶＤ方法生长了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜，Ｘ射线衍射、Ｒａｍａｎ光谱和电镜观测表明样品具备了纳米结构特征。测量了样品在７７Ｋ～４００Ｋ温度范围的电导率，并使用二相随机分布有效介质理论，计算了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中晶粒部分和晶界部分的电导率。对计算结果进行了理论分析，初步探讨了ｎｃ－Ｓｉ结构对其导电性能的影响，提出ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ的高电导率来源于膜中纳米晶粒的小尺寸效应。