微细条形NiFe薄膜元件在磁化和反磁化过程中磁畴结构的变迁过程

详细观察了长条形ＮｉＦｅ薄膜元件（宽１２０μｍ,厚４０ｎｍ）沿难轴方向（长方向）磁化和反磁化过程中磁畴结构变迁的全过程。观察表明,在磁化过程中,磁化转动和不可逆畴壁位移同时存在;在反磁化过程中,畴壁合并、封闭畴转变和畴壁极性转变是最主要的不可逆因素,也是造成元件输出讯号中Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ噪声的主要物理根源。