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1.
调制波长对Cu/Ni金属多层膜力学性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
用电沉积法在低碳钢基体上制备了具有不同调制波长(一个调制波长等于单层Cu膜与单层Ni膜厚度之和)的Cu/Ni金属多层膜,研究了多层膜硬度与其中单层膜厚度之间的关系。结果表明,当膜厚在亚微米范围内时,Cu/Ni多层膜的屈服强度(为硬度值的1/3)与单层膜厚之间符合基于位错塞积模型的Hall-Pctch(H-P)关系式;而当单层膜厚小于100nm时,屈服强度与膜厚的关系偏离了H-P线性关系。基于程开甲等人位错稳定性理论首次对金属多层膜变形行为偏离Hall-Petch关系的现象作了定量解释。 相似文献
2.
3.
B. Holzapfel M. Leghissa P. Bauer G. Kreiselmeyer M. Kraus S. Bouffard L. Schultz G. Saemann-Ischenko 《Journal of Superconductivity》1994,7(1):205-207
Epitaxial YBa2Cu3O7–
thin films (YBCO) and YBa2Cu3O7–
/PrBa2Cu3O7–
multilayers (Y/Pr) were irradiated with high-energy heavy ions (770 Mev208Pb) under various directions relative to thec-axis. The irradiation resulted in columnar defects tilted by from thec-axis. The angular dependence of their pinning activity was studied by measuring the anisotropy of the critical current density. TheJ
c
(B, T,) behavior of the irradiated YBCO thin films showed an additional peak, which exceeds the intrinsic pinning peak, exactly at the irradiation direction. The Y/Pr multilayers, however, showed an isotropicT
c
-enhancement by a factor of 5, without any additional structure in theJ
c(B, T,) curve. 相似文献
4.
Interface reaction (IR) is a frequently observed phenomenon in the study of advanced thin film materials. It is very important to study the reaction conditions at which IR happens and then to suppress or make use of it, the necessary conditions, including both thermodynamical and dynamical conditions of IR were discussed in detail. IRs in various systems, including oxide/silicon, oxide/metal, metal/metal, metal/semiconductor and semiconductor/semiconductor, were reviewed. Methods to suppress and make use of IR were also introduced. 相似文献
5.
6.
7.
为了研究纳米多层薄膜的超硬效应 ,采用反应溅射法制备从 1 4nm至 2 7nm不同调制周期的一系列TiN/NbN纳米多层膜。高分辨电子显微镜对薄膜的调制结构和界面生长方式的观察发现 ,TiN/NbN膜具有很好的调制结构 ,并呈现以面心立方晶体结构穿过调制界面外延生长的多晶超晶格结构特征。显微硬度测量表明 ,TiN/NbN纳米多层膜存在随调制周期变化的超硬效应。薄膜在调制周期为 8 3nm时达到HK39 0GPa的最高硬度。分析认为 ,两种不同晶格常数的晶体外延生长形成的交变应力场 ,对材料有强化作用 ,这是TiN/NbN纳米多层膜产生超硬效应的主要原因 相似文献
8.
采用单槽控电位双脉冲技术在n-Si(111)晶面上制备了[Ni80Fe20/Cu]n多层膜,用SEM观测了多层膜的断面形貌,利用X射线衍射(XRD)表征了多层膜的超晶格结构。采用四探针法研究了多层膜的巨磁电阻(GMR)性能,结果表明,多层膜的GMR值随着Cu层厚度的变化发生周期性振荡,随着NiFe层厚度的增加先增大后减小;当样品结构为[NiFe(1.6 nm)/Cu(2.6 nm)]80时,GMR值可达6.4%;多层膜的最低饱和磁场仅为750Oe。磁滞回线测试结果表明,反铁磁耦合多层膜具有较小的矩形比,更适宜作为磁头材料。 相似文献
9.