模板法组装尼龙-66/铂同轴纳米电缆的研究

采用简单的溶液浸润多孔氧化铝模板的方法制备了PA66的纳米管,再以这种含有PA66纳米管的模板作为“二次模板”,通过电化学沉积技术,在聚合物纳米管内部沉积金属铂纳米线,制得了PA66/铂同轴纳米电缆。用SEM和TEM等测试手段对所制备的聚合物纳米管和同轴纳米电缆进行了表征。     

激光烧蚀法制备准一维纳米材料

介绍了当前激光烧蚀法制备纳米丝、纳米管和纳米电缆的研究现状,讨论了准一维纳米材料激光烧蚀法制备的系统设备和制备条件,分析了激光烧蚀法制备准一维纳米材料的特点和发展趋势.认为准一维纳米材料是气相粒子在高温催化剂作用下生成的.激光烧蚀法具有洁净、可控性强及适应面广的特点.     

ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构表征与发光特性

ZnO、Zn2SnO4均为直接带隙宽禁带氧化物半导体,是优异的功能材料.以ZnO、SnO2为原料,通过共热蒸发法,合成了ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构.该纳米电缆结构为以ZnO为芯,Zn2SnO4为鞘,直径为50~100nm,长度可达上百微米.通过TEM分析手段,发现该纳米电缆结构中,ZnO的生长方向为<0001>方向,ZnO芯与Zn2SnO4鞘之间形成晶格外延关系.室温下光致发光谱结果显示,该纳米电缆结构在紫外区域(380.58nm附近处)存在很强的带边发光,而在可见光区域没有明显的发光带,这一结果表明:Zn2SnO4鞘层的存在能有效抑制ZnO表面的缺陷发光.ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构可以抑制电子-空穴的复合,在染料敏化太阳能电池等方面有一定的应用潜力.     

半导体/SiO2纳米复合材料的溶胶-凝胶制备

总结了溶胶-凝胶法制备半导体/SiO2纳米复合材料的研究进展。目前,通过该方法已制备了镶嵌在SiO2玻璃中的II-VI族I、II-V族I、-VII族和IV族等半导体;形态上,除玻璃块体和薄膜外,还出现了核壳结构的纳米颗粒和同轴纳米电缆。     

同轴纳米电缆研究进展

同轴纳米电缆是一维纳米材料家族中的一颗新星,在众多高精尖端技术领域具有十分诱人的应用前景.详细总结了近年来同轴纳米电缆的研究成果,全面归纳了其制备方法和研究现状.把制备方法概括为5类,即模板法、碳热还原与蒸发-凝聚法、溶胶-凝胶法、激光烧蚀法和化学气相沉积法.并展望了其发展趋势和应用前景.     

Au/SnO2异质同轴纳米电缆

本文报道了一种新型的Au/SnO2金属-半导体异质同轴纳米电缆结构。通过透射电镜表征,发现其轴心为沿特定方向生长的单晶Au纳米线,而壳层则为沿[100]方向生长的单晶SnO2,整体看来就如同一根单晶Au纳米线外套了一根单晶SnO2纳米管。管的两端是封闭的,而Au轴则几乎贯穿整个管,只在端部与SnO2之间有一定间隙。本文讨论了纳米电缆可能的生长机制,而空隙应该是由于两者的热膨胀系数不同所致。     

管状纳米结构的合成及显微分析

自从１９９１年ＮＥＣ的Ｉｉｊｉｍａ研究员发现碳纳米管以来,管状纳米结构引起了世界范围内的物理、化学、材料等学界的广泛重视。描述了用激光蒸发法在高温氮气气氛中合成单层碳纳米管,Ｂ－Ｃ－Ｎ复合纳米管,ＢＣＮ／ＳｉＯ２／ＳｉＣ多层纳米电缆结构的工作,以及运用高分辨电子显微镜和纳米区域电子能量损失谱仪对其结构和化学组成进行分析的结果,并讨论了激光蒸发法中管状纳米结构的生成机理。     

一维氧化铝基纳米材料的制备及其形成机理

采用二次阳极氧化法制备得到孔径为60 nm的氧化铝模板。将氧化铝模板放入NaOH溶液中腐蚀约4 min左右,制备得到了氧化铝纳米管、纳米线的混合物。将沉积有InSb纳米线的氧化铝模板放入NaOH溶液中进行腐蚀5～8 min后,制备得到了InSb/Al₂O₃纳米同轴电缆。在制备基础上,讨论了氧化铝纳米管、纳米线及InSb/Al₂O₃纳米同轴电缆的形成机理。