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1.
V. F. Ivanov A. A. Nekrasov K. V. Tcheberiako A. V. Vannikov A. S. Posed'ko S. I. Lishik Yu. V. Trofimov 《Journal of the Society for Information Display》2003,11(1):11-14
Abstract— An all solid‐state photoelectrochromic element (PECE) was developed on the basis of electrochromic layers of WO3 and polyaniline with a layer of polymer electrolyte placed on a base of polyamidosulfoacid, in which a thin‐film CdSxSe1?x photoresistor was used as an electronic key. The dependence of the sensitometric characteristics of the PECE on the applied voltage was studied. 相似文献
2.
单分散六边形扁平溴碘化银微晶的结构与性能的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
应用可控双注仪制备了一系列碘含量相同而碘在微晶中分布不同的单分散六边形扁平溴碘化银乳剂。用扫描电镜(STEM)与X-射线能谱仪(EDS)对单个微晶进行了微区分析,并用介电损耗,微波光导等方法研究了此类乳剂微晶的结构与性能的关系。结果表明:严格控制微晶成核、成熟、生长三个阶段的条件,可制得含六边形颗粒92%以上的扁平溴碘化银乳剂,颗粒大小变化系数小于12%。此外碘在微晶中的分布明显影响微晶的电性质和 相似文献
3.
立方相GaN的持续光电导 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 . 相似文献
4.
The photoconductive properties of a carotenoid polyene,β-Apo-8′ carotenal in polycrystalline form has been studied. The growth of the photocurrent shows an overshoot in the growth-time
curve before steady state value is attained. This behaviour of photocurrent is proposed to be due to higher value of recombination
coefficient than trapping coefficient. From the temperature dependence study it is observed that the steady state photocurrent,
at first increases with increase of temperature, attains a maximum at a particular temperatureT
max and then decreases with temperature. TheT
max value agrees with the temperature above and below which steady state photocurrent is attained differently. Monomolecular
and bimolecular recombination processes at two temperature regimes are proposed to account for the observed behaviour. The
dependence of photocurrent with excitation light intensity and wavelength study provide information on the carrier generation
processes. The fast decay of photocurrent have been observed at different temperatures and from this study the decay constant
is calculated and it is found to be temperature independent. 相似文献
5.
GaAs半导体中三光子吸收的非线性光电导测量 总被引:2,自引:0,他引:2
采用非线性光电导技术测量2.06μm激光激发的GaAs本征半导体三光子吸收,观察到三光子和单光子吸收的混合光电导,测得了三光子吸收系数.测量结果与理论计算符合较好. 相似文献
6.
Time-of-flight transient photoconductivity measurements reveal a monotonic increase with the deposition pressure in the hole mobility in polymorphous silicon for samples deposited under hydrogen dilution. With helium dilution, a maximum mobility that matches the highest value from H-dilution samples is measured at the intermediate pressure of 1.4 Torr. The deposition rate of those samples is twice the rate for the H-dilution ones. For the samples with the best hole mobilities, the valence-band tail is comparable to the one of standard hydrogenated amorphous silicon. 相似文献
7.
变温长波碲镉汞光电导现象研究 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了n型Hg0.8Cl0.2Te光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系,并讨论了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异,得到一组光电导的实验优化数据,实测小芯片载流子浓度n≈1.8×10^15cm^-3,这与高性能器件实测值的倒推数值一致,这被解释为长江红外高背景辐射的结果。 相似文献
8.
The employment of the Zn(Se,Te) pseudo-graded contacting scheme to p-type ZnSe-based alloys contributes directly to the recent
demonstration of room temperature continuous-wave operation of II– VI green-blue laser diodes. Contact ohmicity is maintained
down to cryogenic temperatures which enabled the investigation of electrical transport properties associated with the p-type
nitrogen-doped ZnSe, Zn(S,Se), and (Zn,Mg)(S,Se). The observation of both persistent photoconductivity and a metastable population
of holes which are in thermodynamic equilibrium with hydrogenic acceptors having reduced activation energy suggests the presence
of a DX-like behavior for holes in p-type (Zn,Mg)(S,Se). 相似文献
9.
溴碘化银核壳乳剂中电子的捕获和复合 总被引:2,自引:0,他引:2
本文应用双注仪制备了在核表面进行不同程度还原增感和一系列溴碘化银核壳乳剂,在没条件下测定了核表面形成的不同还原增感中心对乳剂微晶光电子衰减动力学及发光光谱的影响。结果表明:在一定增感温度和时间条件下,当Na2SO3用量低于5.4mg/molAg时光电子衰减动力学为二级反应,而当Na2SO3用量超过27mg/molAg时,增感中心一部分作为穴陷阱,另一部分作为电子陷阱,光电子衰减速率决定了电子的捕获 相似文献
10.
L. S. Monastyrskii B. S. Sokolovskii V. S. Vasylyshyn 《Optical Memory & Neural Networks》2009,18(1):55-59
The paper theoretically investigates a model of the photosensitivity of porous silicon with cylindrical pores in the condition
of homogeneous generation of photocarriers. Dependences of the photoconductivity of a porous semiconductor on the velocity
of recombination of nonequilibrium carriers at the surfaces of pores, radius of pores and average distance between them are
analyzed. At large velocities of surface recombination the photoconductivity of porous semiconductor is shown to linearly
decrease with increasing the pore’s radius.
The article is published in the original. 相似文献