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1.
氮气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒性能的改善
总被引:1,自引:1,他引:0
张利春
高玉芝
宁宝俊
张录
王阳元
《半导体学报》
1990,11(8):615-622
本文研究了不同气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒特性的影响。我们发现,采用氮气氛下衬底负偏压预溅射新工艺能明显改善GaAs肖特基势垒特性:势垒高度增高,势垒电容减小和二极管反向击穿电压增大。这种新工艺对于GaAs肖特基势垒特性改善和GaAs MESFETs性能提高是一个非常有用的技术。
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