用于厚屏蔽小探测器的蒙特卡罗模拟减方差方法研究

反应堆屏蔽计算中经常出现厚屏蔽、小探测器问题，常规蒙特卡罗方法难以有效解决。基于自动重要抽样（AIS）方法，本文提出了小探测器自动重要抽样(SDAIS)方法，并针对小探测器问题，优化了AIS方法的虚粒子赌分裂算法。该方法在自主开发的蒙特卡罗屏蔽程序MCShield上进行了实现。使用NUREG/CR-6115 PWR基准题验证该方法的正确性和计算效率。结果表明，SDAIS方法可有效地解决厚屏蔽小探测器问题，相比AIS方法及传统的重要性方法，计算效率提升1~2个量级。     

LW-601喷水织机长丝织物松紧档疵点的成因及对策

松紧档疵点是喷水织机长丝织物织造过程中常见病疵之一。通过分析LW -60 1喷水织机的送经和卷取装置的工作原理 ,从机械调整与维护、生产过程管理及工艺优化等方面探讨了其产生的原因 ,并针对性提出了实用对策     

两相邻边固定另两边任意支承矩形厚板问题

在Ｒｅｉｓｓｎｅｒ厚板理论中，利用分离变量法得到挠度函数Ｗ（ｘ，ｙ）和应力函数ψ（ｘ，ｙ）的解。在这些解中．选择一些三角级数和多项式作为该问题的挠度函数Ｗ（ｘ，ｙ）和应力函数ψ（ｘ，ｙ），从而得到了两相邻边固定另两边任意支承矩形厚板弯曲问题的精确解．这里不需要繁琐地叠加．     

空气中烧成的镍导体及其应用

将空气中烧成的镍导体用于散热制冷片制作工艺中，可降低成本，提高合格率。通过实验得到的最佳值为：镍导体中４号玻璃（ＳｉＯ２＞３０，Ｂ２Ｏ３＞１０，ＰｂＯ＜５５，ＴｉＯ２少许）的含量４．５％，化学镀镍时间５０ｍｉｎ，方阻４７．５ｍΩ／□，附着力８．１Ｎ／ｍｍ２。     

Experimental Study on the Effect of Steel-fibre in Conerete Thick Cap

The effect of steel fibre used in concrete was systematically analyzed by model testing of 30 2-pile thick caps of steel-fibre reinforced concrete, in which the model scale was 1：5. The experiment system composed of a loading device, strain measurement system and a data-acquisition system was used, also an electromechanic centigrade scale, a lens and a Y J-25 static resistance strainometer were used.The experimental results show that the volumetric rate of steel fibre and draw ratio have an important influence on its load-bearing capacity. The incorporation of steel fibre can effectively improve the extension and reduce the thickness of the caps.     

曙光油田超稠油井套管损坏的机理和防治

超稠油特殊的油藏特点决定了其生产周期短、注汽频繁、出砂、汽窜、超覆现象严重，以及套管质量等因素的影响，套管损坏较为严重。对曙光油田超稠油井套管损坏的规律和机理进行了研究，并从钻井和完井工艺的完善、套管钢级和射孔工艺的选择、采油生产参数的确定、注汽管柱隔热效果的提高、防治砂工艺等方面，对套管损坏提出了预防措施和对策。并对套管损坏井制定了修复再利用方案。     

钌基厚膜电阻传导模型初探

介绍钌基厚膜电阻的三种传导模型。三种模型都可以得到较满意的R—V曲线，不足处是链模型得出电阻率和导电相粒子形状及尺寸的关系和实验事实不符；有效介质模型不能反映厚膜电阻形成过程中众多因素的影响；渗透模型很多参数的获得有赖经验公式。渗透模型能反映烧结过程中更多因素的影响，并可解释方阻与导电相粒度及峰值温度的变化关系。     

包钢薄板坯连铸厂房钢结构设计及其特点

本文介绍了包钢薄板坯连铸主厂房钢结构的设计及特点。该厂房为单层重型工业厂房，下柱为组合式H型钢双肢柱，屋面大梁为焊接工字钢梁，基本柱距为12m，车间设置295t／67t／22t吊车，屋面和墙面采用彩色压型钢板。同时，在结构选型和构造方面有新的改进和发展。     

用于多种组装技术的厚膜导体复合结构

厚膜导体Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ、Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｕ／Ａｕ平面复合结构，Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ立体复合结构可使多种组装技术相互兼容。立体复合结构还可有效地降低导体线电阻，减少线损耗。而且，其超声键合性尤佳     

Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaN Thick Films by the Consecutive Deposition Process Using GaCl3

GaN buffer and main layers were grown by the conventional hydride vapor phase epitaxy technique using GaCl₃ consecutively. The deposited buffer layers were investigated by atomic force microscopy and X-ray analysis. To examine the behavior of the buffer layers at main layer growth temperature, heat treatment was conducted at 900°C. Based on the results of the buffer layer study, GaN thick films were grown at 1050°C. Optimum deposition conditions of buffer layer from the buffer and main layer studies generally coincided. On the φ scanning pattern, the GaN films grown on (0001) Al₂O₃ were single-crystalline. Band-edge emission dominated photoluminescence was observed at room temperature.