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《电子技术与软件工程》2015,(16)
氮化镓薄膜在蓝宝石、碳化硅和单晶硅等衬底上的异质生长会不可避免的产生高密度的(贯穿)位错(high-density threading dislocation)。本文首先介绍常见的刃型和螺型位错及其表征手段,随之结合国际上的学术研究案例,展开讨论了位错对于氮化镓基器件(如LED和HEMT)的光学性能(非辐射复合)以及电学性能(电荷散射及陷阱能级)的影响机制。 相似文献
4.
通过HPT250轧机在技术改造中遇到的一个问题,即滑移系数对冷轧元缝钢管在轧制过程中所起的作用。在实际生产中经过不断的技术研究和改进。使闲置多年的HPT250轧机为钢管公司的生产迭拉起到很大的作用。 相似文献
5.
分析了新乡观测到的VLF相位周期滑移现象,研究了产生相位周期滑移的原因,揭示了相位周期滑移的实质:VLF传播相位周期滑移是发生在日出或日落过渡期间一种特殊的多模干涉现象,它是由传播路径昼夜分界处的低电离层不连续性所引起的模转换干涉所造成的. 相似文献
6.
介绍了华亭县煤矿滑移支架放顶煤工作面支架稳定性的观测结果;找出了影响支架稳定性的主要因素;提出了改进措施。 相似文献
7.
对三种组织状态的F-M复相钢进行了对称和非对称循环加载条件下的形变研究.结果表明,双相钢的循环变形行为,不仅与组织中位错组态的演变过程有关,同时也受循环载荷大小、类型以及加载方式所影响.分析表明,双相钢的循环硬化、软化行为主要受控于两个基本过程,即循环变形时位错组态演变的物理过程和相间分载应力的转嫁、相间残余应力变化的力学过程. 相似文献
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10.
锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来,在新型晶体管和光电应用方面,Ge又引起了人们的重视。 相似文献