锌冶炼铅银渣还原焙烧挥发铅锌试验研究

研究了铅银渣还原焙烧挥发铅、锌,考察了升温制度、焙烧温度、焙烧时间、焦粉用量、添加剂用量等对铅锌挥发率的影响。结果表明:在1 200℃下恒温焙烧60 min,控制焦粉用量40%、添加剂氧化钙用量4%,铅、锌挥发率分别高达98.85%和97.6%,挥发效果较好。     

观点

<正>2.Ⅰ城市新景观巴黎将为整座城市的屋顶申遗来源:西安地产巴黎处处可见用古旧锌铁和石板搭建、竖立着一管管烟囱的屋顶。市政府官员认为这种屋顶风景唯巴黎可见,且曾启发过梵高等不少艺术家的创作灵感,所以决定展开申遗行动,说服联合国授予世界遗产地位。在巴黎这座城市,你们可能不止一次的登高俯瞰它的全景。你或许曾经登上埃菲尔铁塔和爱人一起看满城被灯火点亮的街道,又或者爬上凯旋门远眺被具有年代感的建筑物包围簇拥的埃菲尔铁塔、圣心教堂、拉德芳斯CBD大楼和新凯旋门。抑或坐在圣心教堂的台阶上看整个城市被淹没在     

陶瓷行业富氧及纯氧燃烧技术应用探讨

本文简要阐述了富氧燃烧技术原理,参考早期理论研究,以及现有各行业执行经验表明,富氧条件下氧气浓度在30%左右有比较好的节能效果和经济效益。在纯氧条件下,节能效果更佳,能达到40%~60%。同时,还能大量减少尾气和有害气体排放,这在一些没有还原气氛要求的梭式窑或小型隧道窑上,具有很大的可行性。由于其需要加入大量的氧气,在某些类型窑炉上经济效益不够明显。当前由于陶瓷行业的产业竞争加大,以及环保要求日益增强,富氧燃烧可以在一定程度上解决大部分窑炉的节能减排要求。     

从二次资源中回收锗的研究进展

锗及其化合物在电子工业、红外光学、光纤通信、化工催化剂等领域应用广泛。伴随着市场对锗的需求显著增加,固废资源化处置的形势严峻,从二次资源中回收锗的技术日益受到关注。概述了从湿法炼锌浸出渣、废弃光导纤维等二次资源中回收锗的方法,并总结了各自的优缺点,指出溶剂萃取法和离子交换法具有选择性好、回收率高等优点,是未来锗回收的发展方向。     

SBR侧流除磷强化同步亚硝化反硝化除磷效率

采用SBR装置,进水COD/ρ(TN)为7,以厌氧-好氧-缺氧(A/O/A)的运行模式实现同步亚硝化反硝化(SPND)。为解决SPND工艺中除磷问题,实验在进水中额外添加一次乙酸钠,强化厌氧释磷后排出富磷上清液。当除磷效果消失时,依照第1次的方法再一次强化除磷。结果表明,强化后出水PO_4~(3-)-P的质量浓度小于0.5 mg/L,其持续时间分别达2 d和16 d,PO_4~(3-)-P平均去除率分别为95.8%±0%、96.7%±3.7%;NH_4~+-N和TN的平均去除率分别为99.5%±1.6%和97.2%±2.3%。强化后微生物多样性增加,丰度大于1%的菌属增加8种。聚磷菌(PAOs)丰度由3.74%增长至4.04%,聚糖菌(GAOS)丰度由8.63%降至4.37%。     

综合防腐新技术在钢制管廊项目中的应用

介绍了国内第一条采用以钢构和新材料综合防腐为主钢制管廊示范工程。该项目管廊全长1. 8km,所用钢材全部采自河钢集团。其中155 m的参观段,采用了中科院重防腐涂层技术、高性能涂层和综合阴极等保护措施,其余部分采用热浸锌防腐加耐火涂料,基础部分采用高强抗震钢筋等新材料和新技术,设计使用寿命100年以上。具有造价低,施工难度低、周期短,标准化施工,工程质量可靠,绿色友好等特点,引领了国内钢制管廊行业的发展,为今后城市综合管廊建设提供了借鉴。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.