影响液封直拉法生长GaAs单晶锭长的因素

研究了影响ＬＥＣ生长ＧａＡｓ单晶锭长的因素。发现，ＬＥＣ系统中热场分布，热对流，坩埚直径和坩埚初始位置及装料量的多少等对ＬＥＣ法生长的ＧａＡｓ单晶锭子长度都有影响。     

电子材料

提升OLED发光效率磁性掺杂技术显神威；康宁扩充在华光纤生产厂；国产新型12英寸无位错硅单晶生长设备研制成功；中科院物理所合作建立国内首条碳化硅晶片中试生产线；NEC小型薄型高频砷化镓开关IC用于高速无线通信……     

国外硅单晶质量研究进展（续Ⅰ）

国外硅单晶质量研究进展（续Ⅰ）王旗（高工），陈振，浦树德，杨晴初（西南技术物理所，成都６１００４１）３硅金属及其它杂质３．１过渡元素的一般概况过渡元素在硅中的污染起决定作用。由于其高的固熔度，高的可动性和两性电活性而难于控制，所以，对于过渡元素的研究...     

低缺陷掺氮直拉硅单量抛光片

该产品采用气相掺氮技术，即氮气既作为保护气，又通过与硅熔体反应掺入熔体，是硅晶体中氮的来源，解决了气相掺氮掺入量控制的难题。用气相（氮气）直接掺氮，操作简便，成本低廉，但需要用特殊方法精确控制掺入量。     

Si单晶的光学限制特性

我们观察到了Si单晶对调 Q Nd:YAG的 1.06 μm脉冲激光的光学限制效应,并对其机理进行了分析.     

扎波罗热钛镁联合企业的半导体硅与锗的生产技术状况

扎波罗热钛镁联合企业具有３０余年的半导体生产历史，拥有从原料制备，单晶生长到成品加工的系统工艺，该厂生产规模较大，技术水平高，还有强大的研究开发与检验测试组织。     

微氮硅单晶中氧沉淀

实验研究了微氮硅单晶在７００℃，１０５０℃单步退火及二步退火的氧沉淀，指出碳、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用，而对中温退火的氧沉淀基本没有影响，主要取决于原始氧浓度，实验还研究了低温预退火促进氧沉淀及氧沉淀延迟现象，探讨了碳氮杂质在氧沉淀中的作用。     

微氮硅单晶中新施主的形成特性

借助于电学测量和低温（８Ｋ）红外分析技术，研究了微氮硅单晶中新施主的形成特性在６５０℃长时间热处理后，微氮硅单晶不产生新施主，其中氮破坏了新施主的可能形核中心低温４５０℃预退火能促进新施主生成，而高温１０５０℃预退火样品则同样没有新施主生成．     

轻/重水堆中子辐照氢区熔硅退火特性的比较

用电阻率测量、金相观察以及红外光谱等方法分别研究了氢区熔硅单晶在轻水反应堆和重水反应堆进行中子辐照后的退火特性。电阻率退火曲线表明，两种中子辐照样品都存在氢致施主。随着退火温度由低到高，轻水堆辐照样品存在一个导电类型由ｐ型到ｎ型的转型过程，而且在这种转型过程中，有一个明显的“周边滞后”现象。在重水堆辐照样品中，热处理缺陷表现为氢致Φ型缺陷（大麻坑），而在轻水堆辐照样品中，热处理缺陷表现为尺寸小得多的氢沉淀。红外光谱测量结果表明，重水堆中子辐照的样品经短时退火后观察不到氧沉淀，而在轻水堆辐照样品中存在吸收峰在１２３０ｃｍ－１附近的氧沉淀。