干凝胶自蔓延燃烧法制备纳米级的MnZn铁氧体

以硝酸铁、硝酸锌，硝酸锰和柠檬酸为原料，利用溶胶－凝胶法和干凝胶自蔓延燃烧工艺制备了纳米的MnZn铁氧体。利用热分析（TG－DTG）研究了干凝胶自燃烧过程，并且利用X衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）研究了PH值、温度，成胶时间以及燃烧温度对MnZn铁氧体的晶体结构，晶体组成和粒径大小的关系。实验结果表明，在较低的PH值和适当的成胶时间下，通过微波外界加热维持干凝胶的自蔓燃烧可以制得粒径为10－20nm之间，晶型良好的立方尖晶石结构MnZn铁氧体。     

中国软磁铁氧体用氧化铁

介绍了中国软磁铁氧体用氧化铁的发展历史和现状，预测了未来的市场需求，并探讨了氧化铁的应用技术问题。     

平面Z-型软磁铁氧体频率特性的研究

研究分析了Co2Z材料显微结构与磁性能的关系,在普通铁氧体工艺中引入预磁化处理方法,并适当控制二次再结晶现象,成功地研制出高性能的Co2Z型宽频材料,Z-型铁氧体材料的共振频率可达1.8GHz以上,截止频率在1GHz附近,起始磁导率在8-13之间,介电常数相对较低(ε'<30)。     

空气振动自动测试矫顽力计

空气振动轿顽力计，是以感应法为基础，在开磁路中测量软磁材料和软磁零件桥顽力的仪表。多年以来，软磁材料矫顽力的测量，都是以测量标准样件来代替各种形状软磁零件的检测方法。针对继电器各种软磁零件需要直接测试矫顽力的问题，研制成计算机控制全自动测试系统，并采用空气振动线圈传感器作为零磁通检测系统。灵敏度比磁通门磁强计高两个数量级（1012T）。解决了不用制作标准试样，可直接准确、快速测试各种软磁零件的问题。     

Mo的替代对FeNbBCu软磁纳米晶合金磁谱的影响

本文研究了Fe82Nb7-xMoxB10Cu1(x=0,1,3,5）系列纲伙晶软磁合金中Mo的含量对磁导率谱（频率范围1kHz-1MHz)的影响，并用畴壁钉扎理论进行了解释，在磁谱中观测到随着Mo含量的增加，弛豫频率线性地上升，μ′随外加磁场幅度变化曲线表明其原因在于Mo的替代导致了钉扎场的增强。     

Fe-Si系软磁粉末制备的研究进展及气雾化制粉技术展望

介绍了当今现有的几种Fe-Si系软磁粉末材料制备技术,如机械球磨、水雾化和气雾化等,其中由于气雾化制粉具有环境污染小、粉末球形度高、氧含量低以及冷却速率大等优点,已发展为生产高性能Fe-Si系软磁粉末的主要方法.但是气雾化制粉工艺本身是一个多相流相互耦合作用的复杂过程,因此到目前为止,人们对气雾化机理至今仍未能透彻认识,紧耦合气雾化技术被认为是艺术而不是科学.同时,鉴于气雾化制粉技术应用的广泛性和重要性,简要回顾了气雾化制粉技术的发展历程,并对其发展前景进行了探讨和展望.     

电磁波吸收材料的开发

电波吸收材料的动向 电波吸收材料在实际使用时必须根据其使用情况选择合适的最佳吸收频带的材料，一些典型的常用材料有①电阻薄膜、电阻纤维以及导电涂料等电阻型材料，②橡皮、碳素和纤维增强塑料（FRP）等感应型材料，以及③以铁氧体为代表的磁性材料。近年来为了适应对于薄型化、宽频带化、低廉化以及增加附加价值等要求的日益高涨，新材料不断开发成功。Fe3Si扁平磁粉填充的橡胶薄板，是一种吸波特性优异的新材料，通常软磁金属材料由于导电性高形成涡电流而不能用于高频电磁波领域，但这一缺点通过扁平粉末和薄膜化而抑制了涡电流，从而使其可以用于10GHz这样高的高频波段。     

金属玻璃的开发和应用

性能优异的软磁金属玻璃金属玻璃的最大特点在于比传统非晶态合金具有显著较大的玻璃形成能力。传统的铁基和钴基软磁非晶合金，为了形成非晶态就必须以10^5K／s以上(临界冷却速度)的极高冷速将其熔体冷凝来获得。然而铁基和钴基金属玻璃，其临界冷却速度则要比传统非晶态合金慢两个数量级以上，在铜模中即可获得尺寸在mm级以上的大块材料。     

纳米晶软磁薄膜Fe-Ti-N的结构、磁学性能和热稳定性研究

在高溅射功率900W下用RF磁控溅射方法制备了厚为630－780nm的e-Ti-N薄膜。结果表明：当膜成分（原子分数，％，下同）在Fe-3.9Ti-8.8N和Fe-3.3Ti-13.5N范围内，薄膜由α′和Ti2N沉淀组成，磁化强度4πMs超过纯铁，最高可达2.38T；而矫顽力Hc下降为89A／m，可以满足针对1.55Gb/cm^2高存储密度的GMR／感应式复合读写磁头中写入磁头的需要，N原子进入α-Fe使α′具有高饱和磁化强度；Ti的加入，阻止α′→α γ′的分解，稳定了强铁磁性相α′，是Fe-Ti-N具有高饱和磁化强度的原因。由于由晶粒度引起的对Hc的影响程度Hc^D与晶粒度D有以下关系：Hc^D∝D^6，晶粒度控制非常重要。N原子进入α-Fe点阵的八面体间隙，引起极大的畸变，使晶粒碎化。提高溅射功率也使晶粒度下降。两者共同作用，能使晶粒度下降到约14nm，使Hc下降。晶界是择优沉淀地点，在α′晶界上沉淀Ti2N能起钉扎作用，阻止晶界迁移，使纳米晶α′不能长大。薄膜的结构和Hc的稳定温度不低于520℃。