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该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e33增加、刚度 下降,导致Al1-xScxN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al1-xScxN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。 相似文献
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样品在聚四氟乙烯坩埚中,用氢氟酸-硝酸-硫酸分解,制成盐酸溶液,以过氧化氢氧化訇成过钛酸。在搅拌下,将此溶液,分次倾入三惭醇胺-乙二胺四乙酸二钠-氢氧化钠溶液中,钪形成氢氧化物,与氢氧化镁共沉淀,钛、铁、钒、铬、锰、铝、铜、钴、镍等常见元素,则留在溶液中。滤除后,沉以稀盐酸溶解,用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定钪。并探讨了常见干扰离子分离的机理。本法用于钒钛磁铁矿石分析,测出其含三氧化钪15 相似文献
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