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1.
3.
以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制. 相似文献
4.
通过液相合成方法提纯Nd:GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”,Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd:GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”:YAG晶体对Nd:CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示,Cr^4 :YAG Nd:GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns,对应峰值能量为26.4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较,发现掺钕浓度越高,激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍,4.8W泵浦光下,最大GaAs调制激光输出为0.63W。 相似文献
5.
对隔焰炉底铅进行分步真空蒸馏的小型试验结果:第一次蒸馏获得冷凝合金含86.72%Zn的粗锌,将残留合金进行二次蒸馏获得冷凝合金含75.94%Pb的粗铅,Ge、In、Ag富集于最终残留合金中,千克级规模一步蒸馏。在1000℃下恒温180min,真空度66.7~39.9Pa,将Zn、Pb蒸出。残留合金中Ge、In、Ag的含量分别为9.96%、6.67%、8.97%,富集比分别为7.21倍、6.67倍、 相似文献
6.
锗γ能谱测量中的符合相加修正 总被引:4,自引:1,他引:3
本文介绍了锗γ能谱测量中符合相加修正的原理和方法,给出了修正公式。分别计算了不同几何条件下两个锗探测器对一些放射性核素的符合相加修正因子,估计了符合相加修正因子对活度测量结果的误差贡献。 相似文献
7.
吴兰 《红外与毫米波学报》2002,21(2):87-90
用垂直入射的中红外光束调制非掺杂SiGe/Si量子阱中光致子带间吸收,氩离子激光器作为子带间跃迁的光泵浦源在阱中产生载流子,红外调制光谱用步进式傅立叶变换光谱仪记录,实验中观察到明显的层间干涉效应与子带间跃迁有关的色散效应,理论和实验分析认为样品折射率变化造成的位相调制可以补偿吸收所造成的幅度调制。 相似文献
8.
9.
10.
美国宇航局格林研究中心开发出一种涡轮发动机叶片用低密度单晶合金,具有良好抗蠕变特性。其目标是开发出一种密度比PWA1484合金低3%~6%,而抗蠕变强度要超过ReneN5合金的新品种。 相似文献