银基氟化镁材料的研究

采用粉末冶金的方法制备了银基氟化镁材料。利用X射线衍射仪、金相显微镜和差热分析仪等对其组织结构进行分析，同时对其硬度、电导率、密度和摩擦系数等进行了测试。结果表明：形成的合金相对密度达98％以上，银与氟化镁能达到原子级别的结合：在银中添加氟化镁，样品的电导率有较大幅度的下降，并且晶粒显著细化，但材料的硬度提高不大，对银和铜的摩擦系数没有明显的降低。因此，氟化镁不能作固体自润滑材料的添加剂。     

中红外光学材料的高温性能研究

红外光学材料是红外技术应用的基础之一。适用于3~5μm波段的中波红外光学材料正向高性能、大尺寸、低成本等方面发展,具有广阔的应用前景。介绍了尖晶石陶瓷、蓝宝石晶体和氟化镁多晶等中红外光学材料的基本性质,开展了制备技术、光学性能、力学性能和热学性能的研究,比较了温度对发射率、抗弯强度和热导率的影响。结果表明:尖晶石陶瓷具备较高的发射率;氟化镁多晶抗弯强度较差;蓝宝石晶体综合性能较佳,适用于制备基于高温应用的弧形光学器件。     

基于不同介质材料的AOTF特性研究综述

基于不同介质材料的AOTF(声光可调谐滤波器)具有不同的性质及应用场合.目前应用于紫外、可见光和红外波段的AOTF主要以α-SiO2、TeO2和TAS( Tl3AsSe3)为介质.为了得到性能更优的AOTF,人们一直在探寻新型双折射晶体材料来代替α-SiO2和TAS.文章汇总并讨论了近年来人们针对基于TeO2、KDP(...     

溅射功率对磁控溅射法制备MgF2薄膜组织和性能的影响

为了减少磁控溅射法沉积MgF₂薄膜的F贫乏缺陷, 在工作气体Ar₂中加入SF₆作为反应气体, 在石英玻璃衬底上用射频磁控溅射法制备了MgF₂薄膜, 研究了溅射功率对MgF₂薄膜化学成分、微观结构和光学性能的影响。结果表明, 随着溅射功率从115 W增加到220 W, F: Mg的原子比不断增加, 185 W时达到2.02, 最接近理想化学计量比2 : 1;薄膜的结晶度先提高后降低, 最后转变为非晶态; MgF₂薄膜的颗粒尺寸先是有所增加, 轮廓也变得更加清晰, 最后又变得模糊。MgF₂薄膜的折射率先减小后增大, 在185 W时获得最低值, 550 nm波长的折射率1.384非常接近MgF₂块体晶体;镀膜玻璃在300~1100 nm范围内的透光率(以下简称薄膜透光率)先增大后减小, 185 W时达到94.99%, 比玻璃基底的透光率高出1.79%。     

用离子束辅助沉积技术制备ZnS/MgF2膜

研究了用离子束辅助沉积技术在玻璃面交替镀覆高折射率和低折射率膜,从冷光灯大量生产的需要出发,对离子源的结构以及镀膜系统作了改进。     

铝电解质成分对钠和电解质渗透行为的影响

分别从电解质分子比、氧化铝含量和添加剂氟化镁含量的变化方面,研究电解质成分对钠和冰晶石-氧化铝熔液向阴极碳块渗透的影响.结果表明,随着电解质分子比的增加,阴极碳块中渗透的物质增多,分子比越大,渗透就越深.加大氧化铝的含量使钠向阴极碳块的渗透能力增强.添加剂氟化镁能够减小钠和电解质向阴极碳块的渗透.     

MgF2包覆对正极材料LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2性能的影响

通过浸渍法在正极材料LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2的表面包覆MgF2,通过XRD、SEM、交流阻抗（EIS）分析、充放电测试研究了不同量MgF2包覆对LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2正极材料的结构与电化学性能的影响。结果表明,MgF2以非晶态形式包覆于LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2材料颗粒的表面,当包覆量为3%（物质的量分数,下同）时,三元正极材料具有优良的电化学性能,在3.0~4.6 V充放电范围内0.1C充放电倍率下,首次放电比容量为196.3 mA·h/g,1C循环50次后容量保持率为95.7%,55 ℃高温下1C循环50次后容量保持率为93.3%。     

镁合金表面MgF_2膜的形成机理及制备工艺研究

基于镁合金耐蚀性差的缺点,利用化学热处理的工艺方法使镁合金表面形成一层致密的、与基体达到冶金结合的、自腐蚀电位为-1.096 V的MgF2耐腐蚀膜层,同时研究了工艺参数和合金元素对MgF2膜层的厚度、致密度及与基体的结合状态等的影响规律.结果表明:在560 ℃保温时,MgF2膜的厚度随着保温时间的延长,前3 h膜厚增加速度较快,3 h以后膜厚增加速度缓慢.