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《Journal of the European Ceramic Society》2019,39(2-3):340-345
The Ca(1+2y)Sn(1-x)Si(1+y)O(5-2x+4y) low-permittivity microwave dielectric ceramics were prepared through solid-state reaction at 1350–1450 °C for 5 h. The relations between microwave dielectric properties and phase compositions for non-stoichiometric Ca(1+2y)Sn(1-x)Si(1+y)O(5-2x+4y) ceramics have been investigated. A single CaSnSiO5 phase with abnormally positive temperature coefficient of resonant frequency (τf = + 62.5 ppm/°C) was synthesised at 1450 °C. This composition was an effective τf compensator of CaSiO3 and Ca3SnSi2O9 phases with typically negative τf value. The CaSiO3 second phase was related to the Sn deficiency in the CaSn(1-x)SiO(5-2x) (0 < x < 1.0) composition, whereas the Ca3SnSi2O9 second phase was obtained by controlling the Ca:Sn:Si ratios on the basis of the Ca(1+2y)SnSi(1+y)O(5+4y) (0 < y < 1.0) composition. A promising low-permittivity millimetre-wave ceramic with most excellent microwave dielectric properties (εr = 10.2, Q×f = 81,000 GHz and τf = −4.8 ppm/°C) was produced from the Ca(1+2y)SnSi(1+y)O(5+4y) (y = 0.4) ceramic. 相似文献
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分析了乐滩灌区工程北干渠溯河隧洞段长约1.06 km穿合山煤矿采空区的地质情况.借鉴高速公路煤矿采空区的成功处理经验,通过科学分析,对采空区变形和区域内覆岩的稳定性做了评价,论述了输水线路穿采空区段采取全充填压力注浆法的工程处理方法. 相似文献
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8.
分析了设备对PCB电镀过程中孔中镀液更新之影响,为有效地利用设备条件改善孔中镀液的更新提供了一些方法及理论数据。 相似文献
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The feature scale planarization of the copper chemical mechanical planarization (CMP) process has been characterized for two
copper processes using Hitachi 430-TU/Hitachi T605 and Cabot 5001/Arch Cu10K consumables. The first process is an example
of an abrasive-free polish with a high-selectivity barrier slurry, while the second is an example of a conventional abrasive
slurry with a low-selectivity barrier slurry. Copper fill planarization has been characterized for structures with conformal
deposition as well as with bumps resulting from bottom-up fill. Dishing and erosion were characterized for several structures
after clearing. The abrasive-free polish resulted in low sensitivity to overpolish and low saturation levels for dishing and
erosion. Consequently, this demonstrated superior performance when compared to the International Technology Roadmap for Semiconductors
(ITRS) 2000 roadmap targets for planarization. While the conventional slurry could achieve the 0.13-μm technology node requirements,
the abrasive-free polish met the planarization requirements beyond the 0.10-μm technology node. 相似文献