低松装密度水雾化铜粉工艺的研究

本文研究了氧化 还原法生产铜粉的新工艺 ,该工艺是通过氧化还原将水雾化铜粉加以表面改性 ,形成海绵状的粉末 ,显著降低水雾化铜粉的松装密度 ,这种铜粉既具有电解铜粉低的松装密度 ,又具有水雾化铜粉高的流动性。讨论了氧化时间、氧化温度对铜粉松装密度的影响。本工艺是一种新型环保、节能、可替代电解法生产铜粉的先进工艺     

脱氯工序pH值和ORP的影响因素

介绍了离子膜烧碱装置中空气吹除脱氯和真空脱氯工艺。分析了正常脱氯操作条件下影响其pH值和氧化还原地位（ORP）的因素，提出了控制措施。     

SiO(g) formation from SiC in mixed oxidizing-reducing gases

The formation of SiO(g) from SiC by either active oxidation or an oxidation-reduction process is discussed. The Wagner criterion for the transition from active to passive oxidation is generalized for any oxidant. Kinetic modeling of both active oxidation and oxidation-reduction is described.Symbols - - MW _SiC/MW _Si - _CO CO(g) boundary layer thickness - _ox gaseous-oxidant, boundary layer thickness - stoichiometric factor from Eqs. (2)–(4), # of CO produced/# of oxidant (on oxygen atom basis) - gas viscosity - concentration of diffusing gas species in boundary layer - concentration of major gas species in boundary layer - _oxide density of SiO₂ - D diffusion coefficient of diffusing species in gas-boundary layer - D _CO diffusion coefficient of CO(g) - D _ox gas diffusion coefficient of oxidant - J flux, rate of weight loss limited by diffusion in gas-boundary layer - J _CO flux of CO(g) - J _ox flux of gaseous oxidant - K _g linear oxide growth constant, weight/(length² time) - k _g linear oxide growth constant, length/time - k _l linear volatilization constant for SiO₂,k _lo+k _ls, weight/(length² time) - k _lo linear volatilization constant for oxygen from SiO₂, weight/(length² time) - k _ls linear volatilization constant for silicon from SiO₂, weight/(length² time) - k _l linear volatilization constant for SiO₂, length/time - k _p parabolic oxide growth constant, weight²/(length⁴ time) - k _p parabolic oxide growth constant, length²/time - L sample length parallel to gas flow direction - (M/A)₁ specific weight change due to oxygen gain and associated carbon loss in paralinear oxidation - (M/A)_1L limiting value of weight change due to oxygen gain and associated carbon loss in paralinear oxidation - (M/A)₂ specific weight change due to silicon loss and associated carbon loss in paralinear oxidation - MW _C molecular weight of carbon - molecular weight of O₂ - MW _Si molecular weight of silicon - MW _SiC molecular weight of silicon carbide - molecular weight of silica - n number of oxygen atoms per oxidant molecule - P _CO ^eq eqiilibrium CO(g) pressure - P _CO ^g CO(g) pressure outside of boundary layer - P _CO ⁱ CO(g) pressure at SiC-gas interface - P _ox ^g oxidant gas pressure outside of boundary layer - P _ox ⁱ oxidant gas pressure at SiC-gas interface - R gas constant - t time - T absolute temperature - v linear gas velocity - x oxide thickness - x _L limiting oxide thickness achieved in paralinear oxidation - x _t oxide thickness at which transition from linear to parabolic growth occurs     

氧化还原反应的类型和中间价态规则

从元素的价态分析讨论同一种元素在不同价态之间的氧化还原反应情况 ,从而得出“中间价态规则”。     

栲胶-硫酸锰体系的脱硫研究

以氧化栲胶(Teos)-MnSO4为脱硫剂,采用氧化-还原电位方法进行脱除硫化氢的研究,考察了该体系用于脱硫的热力学可行性、MnSO4对氧化再生性能、脱硫液电位和脱硫过程的影响。结果表明:Teos-MnSO4碱性溶液脱硫在热力学上是可行的;影响脱硫液贫液电位的主要因素是Teos,随Teos浓度1 g/L～3 g/L增加而降低;MnSO4 0.025g/L无需另加入络合剂能稳定存在,模拟氧化再生过程实验表明锰盐能改善栲胶脱硫液的氧化再生性能,络合剂柠檬酸0.25 g/L的加入对此影响不明显;模拟脱硫过程实验表明脱硫液电位与所含H2S浓度的对数成线性关系,而脱硫液硫容较低,欲提高其硫容须添加其它变价金属组份。     

应用超声消解快速检测COD方法的实验研究

提出快速检测水样化学需氧量(COD)的新方法 ,即在常温常压下利用超声消解(UASD)水样,并结合分光光度法(SP)或氧化还原电位法(ORP)检测水样COD。实验表明,UASD法消解水样的最佳时间在4 min左右;用标准邻苯二甲酸氢钾溶液绘制工作曲线,采用UASD-SP法对污水样品的COD(经稀释COD500 mg/L)进行检测,测得的COD值与国标法测定值对比,准确度在-5.4%~-2.1%,实验精密度在0.42%~2.8%。实验证明了应用超声消解快速检测COD方法的可行性。     

甲酸脱氢酶用于辅酶NADH再生的研究进展

NADH依赖型氧化还原酶广泛应用于精细化学品和手性化合物的生物合成,其中辅酶NADH作为还原当量起着关键的作用,NADH的再生关系到生物氧化还原过程能否进行. 甲酸脱氢酶在辅酶NADH再生中的应用是目前代谢工程领域研究的热点之一. 本工作回顾了甲酸脱氢酶的来源和氨基酸序列、酶的理化性质和催化机理等方面的研究进展,从化学稳定性、热稳定性和成本等方面阐述了甲酸脱氢酶在辅酶再生系统中的应用,讨论了甲酸脱氢酶用于辅酶再生的代谢工程平台的发展趋势,并对研究发展方向提出了一些设想.     

TiO2薄膜结构及氧敏性研究

利用溶胶．凝胶技术制备了TiO2氧敏薄膜，通过氧化物掺杂和贵金属的表面修饰，在空气气氛下烧结氧敏薄膜a结果表明：600℃～800℃下处理的薄膜是以金红石为主晶相及少量锐钛矿的混合晶型，随着温度升高锐钛矿减少，900℃时锐钛矿相的峰基本消失：800℃下处理的薄膜灵敏度明显高于600℃和900℃下处理的薄膜灵敏度。W，Ce氧化物掺杂促进TiO2薄膜微量氧化还原，增加催化反应活性，使薄膜的氧气灵敏度有明显提高：以Pd对W-TiO2薄膜进行表面修饰，使薄膜的阻温特性得到了明显提高。     

热镀锌TRIP钢还原铁/基板界面表征

预氧化还原工艺是改善热镀锌先进高强钢(AHSS)可镀性的有效手段之一。当它用于生产热镀锌先进高强钢时,有时也会出现镀层附着性不良的问题。为了明确还原铁/基板界面对热镀锌高强钢镀层附着性的影响,以预氧化还原工艺生产的、镀层附着性不同的热镀锌TRIP钢为研究对象,采用GDOES、SEM、FIB、TEM等手段研究了还原铁/基板界面位置的微观特征。结果表明,镀层附着性不良表现为150～300 nm厚的还原铁层与镀层一起从基板表面脱落,失效发生在还原铁/基板界面,而非镀层/还原铁界面,与常见的镀层/基板界面Fe₂Al₅抑制层缺失引起的镀层附着性不良明显不同。镀层附着性不同的试样在还原铁/基板界面位置均存在硅、锰元素富集,但硅、锰富集程度有差异,镀层附着性不良试样的界面硅、锰富集更高。还原铁/基板界面氧化物形态显著影响了还原铁/基板界面的结合力,当还原铁与基板之间形成连续的氧化膜时,界面结合力较差,易发生界面分离;当还原铁/基板界面形成细小的、不连续的氧化物颗粒时,界面结合力较好。在对热镀锌先进高强钢实施预氧化还原工艺时,为了获得良好的还原铁/基板界面结...     

紫外光催化辅助SiC抛光过程中化学反应速率的影响

目的为了探究紫外光催化辅助抛光过程中,化学反应速率对SiC化学机械抛光的影响规律。方法通过无光照、光照抛光盘和光照抛光液3种光照方式,研究紫外光催化辅助作用对单晶SiC抛光过程中材料去除率的影响。测量不同条件下光催化反应过程中的氧化还原电位(ORP)值,来表征光催化反应速率,并进行了单晶SiC的紫外光催化辅助抛光实验,考察光催化反应速率对抛光效果的影响规律。结果实验表明,引入紫外光催化辅助作用后,材料去除率提高14%～20%,随着材料去除率的增加,光催化辅助作用对材料去除率的影响程度变小。光照射抛光液方式的材料去除率明显高于光照射抛光盘。不同条件下的抛光结果显示,化学反应速率越快,溶液的ORP值越高,材料去除率越大,表面粗糙度越低。在光照抛光液、H_2O_2体积分数4.5%、TiO_2质量浓度4 g/L、光照强度1500 mW/cm~2、pH=11的条件下,用W0.2的金刚石磨料对SiC抛光120 min后,能够获得表面粗糙度Ra=0.269 nm的光滑表面。结论在单晶SiC的紫外光催化辅助抛光过程中,光催化反应速率越快,溶液ORP值越高,抛光效率越高,表面质量越好。在H_2O_2浓度、TiO_2浓度、光照强度、pH等4个因素中,对抛光效果影响最大的是H_2O_2浓度,光照强度主要影响光催化反应达到稳定的时间。