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1.
水泥水化过程决定水泥基材料强度、耐久性等诸多性能,深入理解水泥水化机理具有重要的科学意义和工程价值。本工作回顾了硅酸盐水泥水化动力学模型的最新研究进展,评述了GEMS热力学计算、HymoStruc3D和CEMHY3D等水化数值模拟方法及其局限性,总结了准弹性中子散射和核磁共振等先进测试手段在研究水泥水化过程中水态演变和孔结构发展中的具体应用,提出了该领域未来研究的趋势和挑战。  相似文献   
2.
本文基于横向积分离散纵标方程,解析得到横向积分通量中出射通量与入射通量的关系,并根据类似于扩散方程节块展开法的输运节块中子平衡方程形式,得到了一种高效的节块离散纵标法数值迭代策略。数值结果表明,本文提出的方法可行且数值结果正确。此外,粗网有限差分(CMFD)加速技术在节块离散纵标法中也取得了非常好的应用效果。  相似文献   
3.
RMT测井是利用脉冲中子(碳氧比)资料确定储层的孔隙度、含水饱和度和岩性等。由测井曲线得到矿物元素(碳、氧、硅、钙)的含量,并通过分析元素的百分含量计算剩余油饱和度。该技术不仅能用于计算单井的剩余油饱和度,而且可以估算区块的剩余油饱和度,对于寻找剩余油和发现剩余油的分布规律有重要的指导作用。  相似文献   
4.
概述了中子衍射测量材料织构的进展和国际国内现状,以及对未来发展的展望.  相似文献   
5.
中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.  相似文献   
6.
用中子活分分析研究古汝瓷起源   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
7.
多用途中子发生器有着广阔的市场和应用领域 ,文章对移动式宽频带高产额中子发生器 ,在设计制造过程中所涉及到的技术难点 :绝缘尺寸小、频率适应范围宽、为中子管提供靶压的高压负载特性好等作了技术分析 ,使多用途中子发生器在更广阔的范围内应用 ,提供了广阔前景。  相似文献   
8.
9.
陈永才 《测井技术》2003,27(1):75-77
介绍了补偿中子测井仪刻度的基本原理及在Windows98平台下利用Borland C Builder5.0^[1]编程环境开发的中子测井仪刻度管理软件,实现了对中子测井仪的刻度管理,列举了应用实例。  相似文献   
10.
英国南安普敦大学研究人员发现,在制造三层晶体管时向硅中加氟可使其中电子流动速度加快。研究人员利用现有硅制造工艺向硅器件加氟以图提高电子速度。  相似文献   
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