飞机客舱的屏蔽效能研究

功率平衡法的网络化公式是以电磁拓扑学和统计电磁学为基础而发展起来的一种电大尺寸系统电磁效应的系统级评估方法。利用全波仿真的方法验证了功率平衡法的可行性,在此基础上,对波音747-8客舱的品质因数和屏蔽效能进行了评估。该方法具有快速便捷和适用范围广的特点。     

F接头机械构造的改进

F接头按传统方法制作，要在电缆线端头切一条口，这样不仅使得密封防雨性能差，而且破坏了电缆线的屏蔽性能，因此存在以下缺陷：①电视射频信号通过切口向外辐射，耦合在其他电缆传输干线上，产生重影干扰；②外界噪声通过切口侵入网络中，干扰有用信号；③电缆线容易进水，造成接触不良、短路、打火拉弧等故障；④F接头套筒的形状为圆锥体，头大尾小．在压环压力作用下，F接头产生向外动的趋势，受温度变化和外部拉力作用，F接头容易与铝带松动、脱离，因此我们对F-9和F-12接头的机械构造加以改进。     

屏蔽电泵故障分析与改进

本文简述了屏蔽电泵在中国石油大连石化公司连续重整装置的运行情况,对其在使用中易产生汽蚀的现象进行了详细的分析,并从几个方面提出了具体的改进措施。     

材料织构的中子衍射测量

概述了中子衍射测量材料织构的进展和国际国内现状,以及对未来发展的展望.     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

移动式宽频带高产额中子发生器

多用途中子发生器有着广阔的市场和应用领域 ,文章对移动式宽频带高产额中子发生器 ,在设计制造过程中所涉及到的技术难点 :绝缘尺寸小、频率适应范围宽、为中子管提供靶压的高压负载特性好等作了技术分析 ,使多用途中子发生器在更广阔的范围内应用 ,提供了广阔前景。     

我国研制出手机纳米电磁屏蔽材料

我国研制出手机使用的纳米电磁屏蔽材料，可以阻挡手机的辐射。 北京晚报报道，中国科学院理化技术研究所研制的环保型纳米导电涂料，和现在的微米级产品相比，新材料由于使用的金属颗粒粒度小，可以提高手机的抗干扰能力，使手机的信号更清晰，同时还能大大降低电磁波辐射。 据指出，使用纳米材料可以使电磁屏蔽材料的电阻降低三分之二，成本下降五分之一，并解决涂布过程中的管道堵塞问题。 报道称，这项技术还可以应用于电脑、电视、军工等电子、电器产品上，从而大大减少电磁辐射。 该所还与海尔集团合作开发了纳米抗菌手机外壳技术。 …