移动式宽频带高产额中子发生器

多用途中子发生器有着广阔的市场和应用领域 ,文章对移动式宽频带高产额中子发生器 ,在设计制造过程中所涉及到的技术难点 :绝缘尺寸小、频率适应范围宽、为中子管提供靶压的高压负载特性好等作了技术分析 ,使多用途中子发生器在更广阔的范围内应用 ,提供了广阔前景。     

中子产额大于1.5×10^10n／s的密封中子管

报道了一种中子产额大于１．５×１０１０ｎ／ｓ、靶和离子源都可拆卸的密封中子管，以它为核心研制的密封中子发生器已被用于中子照像等领域，并取得了较好的结果。     

基于Sigmund理论的溅射产额计算及分析

溅射产额是表征溅射效应的重要参数。Sigmund的线性级联碰撞理论在溅射产额计算中获得了广泛的应用和发展。本文对Sigmund理论进行简单介绍，并对基于Sigmund理论的各种经验公式进行分析。在此基础上，对不同条件下的溅射产额进行了计算，通过计算结果，对各种公式的使用范围进行了讨论。     

辐射化学基础理论研究现状 Ⅰ.初级辐解产物

本文着重于辐射作用于物质最初生成的产物,包括激发态的离子与分子,能量超过热能的次级电子等的反应以及电荷和激发能的转移,并试图论述它们的最新发展。     

X射线及低能γ光子在金属箔透射面的光致电子发射产额

采用改进的密立根光电流测量法,在透射方向测量了＾２４１Ａｍ放射源的Ｘ射线及低能γ光子在透过不同厚度的Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａ及Ｗ箔时光致电子发射的产额。结果表明：光致电子发射产额在样品厚度范围内随箔厚的增加而减少;在高原子序数材料中将产生更多的光致电子发射。提出了“射程层贡献”模型,以该模型为基础建立的计算方法所得结果与实验值间相对误差平均约为１０％。     

用LAHET和MCNP程序研究散裂中子靶的中子学性能

利用LAHET和MCNP程序对ADS散裂中子靶进行模拟计算。因靶的基本物理性质随束流和靶形状的变化而改变,所以首先评估了源强和靶的几何形状对靶性质的可能影响,然后计算长1.2m、直径为0.6m的圆柱形液态铅靶在1GeV质子轰击下,靶内中子的产生和泄漏及能量的沉积等。与文献数据、实验数据进行了比较,符合良好。计算结果还表明:源强和几何的选择对中子产生和泄漏可产生较大影响;用液态铅作散裂靶时,中子产额和泄漏额较高,且泄漏能谱在可利用范围内,但能量沉积在靶中的分布极不均匀,这可能给传热带来问题。     

N,N,N'''',N''''-四丁基-3-氧-戊二酰胺辐解机理的研究

计算了N，N，N’，N’-四丁基-3-氧-戊二酰胺（N，N，N’，N’-tetrabutyl-3-oxa-pentanediamide，TBOPDA）中各个原子的电荷分布，根据电荷分布情况讨论了TBOPDA中有关化学键的相对稳定性和可能断裂几率，认为TBOPDA中化学键的辐照稳定程度为C-O〈C-H〈C-N〈C-C。理论推测的结果与相关辐解产物的产额顺序基本一致。     

垂直梯度凝固法生长PbWO4∶（F,Y）晶体的光学性能（英文）

采用垂直梯度凝固法成功生长出直径为27mm、长为110mm,具有可控形状和形态的F-和Y3+共掺钨酸铅[PbWO4∶(F,Y)]晶体。通过透射光谱、荧光光谱、光产额、衰减时间等对钨酸铅晶体光学性能进行了表征。结果表明:与纯钨酸铅晶体相比,垂直梯度凝固法生长的PbWO4∶(F,Y)晶体在320~420nm的短波范围的光学透过率明显提高,光吸收边更尖锐;荧光光谱为350~580nm范围的宽峰,发射主峰为420nm;光产额达到50p.e/MeV(1 000ns内),发光衰减时间为5ns。