RMT测井技术增油效果显著

RMT测井是利用脉冲中子（碳氧比）资料确定储层的孔隙度、含水饱和度和岩性等。由测井曲线得到矿物元素（碳、氧、硅、钙）的含量，并通过分析元素的百分含量计算剩余油饱和度。该技术不仅能用于计算单井的剩余油饱和度，而且可以估算区块的剩余油饱和度，对于寻找剩余油和发现剩余油的分布规律有重要的指导作用。     

材料织构的中子衍射测量

概述了中子衍射测量材料织构的进展和国际国内现状,以及对未来发展的展望.     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

移动式宽频带高产额中子发生器

多用途中子发生器有着广阔的市场和应用领域 ,文章对移动式宽频带高产额中子发生器 ,在设计制造过程中所涉及到的技术难点 :绝缘尺寸小、频率适应范围宽、为中子管提供靶压的高压负载特性好等作了技术分析 ,使多用途中子发生器在更广阔的范围内应用 ,提供了广阔前景。     

中子测井仪刻度管理系统

介绍了补偿中子测井仪刻度的基本原理及在Windows98平台下利用Borland C Builder5.0^[1]编程环境开发的中子测井仪刻度管理软件，实现了对中子测井仪的刻度管理，列举了应用实例。     

硅晶体管中加氟可提高中子速度

英国南安普敦大学研究人员发现，在制造三层晶体管时向硅中加氟可使其中电子流动速度加快。研究人员利用现有硅制造工艺向硅器件加氟以图提高电子速度。     

中子寿命测井在评价管外窜槽中的应用

管外窜槽已成为制约中原油田注水开发的障碍，并造成了严重的经济损失。文中分析了管外窜槽的形成机理，重点介绍了注硼中子寿命测井技术用于管外窜槽监测的原理、工艺及解释方法。结合中原油田的应用实例，论证了中子寿命测井评价管外窜槽的有效性，为油藏动态监测提供了有效手段。