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3.
Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体生长和基本特性 总被引:5,自引:0,他引:5
Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体作为一种新的激光材料,可以用中频感应加热提拉法生长。X射线粉末衍射分析表明它的结构与Nd^3 :YVO4晶体结构相同,它的晶格常数介于YVO4和NdVO4晶格常数之间。用ICP光谱法测定晶体中Nd^3 含量为0.8at%,分凝系数为0.8,与Nd^3 :GdVO4晶体中Nd^3 的分凝系数0.78相当;用称重法测定其密度为5.00g/cm^3;用稳态纵向热流法测出其室温热导率为12.5W/mK。实验表明Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体有希望作为高功率ID泵浦激光晶体材料。 相似文献
4.
β—锂辉石的晶体化学性质及其低热膨胀性的结构解释 总被引:3,自引:0,他引:3
本文对低热膨胀陶瓷坯体主晶相的β-锂辉石(固溶体)的X射线衍射性质和红外光谱性质进行了研究和讨论,对β-锂辉石的晶体结构进行了详细的叙述,并从结构上解释了β-锂辉石的热膨胀各向异性和低热膨胀性。 相似文献
5.
Anumberoflanthanideternarycomplexescon tainingheterocyclicamineshavebeenreportedsince1960 [1] .Inrecentyearsmuchattentionhasbeenpaidtoquaternarycomplexesoflanthanidesbecauseofin terestingstructure ,coordinationmode ,competitionre actionandproperty[2~ 9] .ESRcane… 相似文献
6.
本文介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理,详细分析了其读写操作过程及时序。将FRAM与其他存储器进行了比较,分析了在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FRAM与8051系列单片机的实际接口,着重分析了与使用一般SRAM的不同之处。 相似文献
7.
8.
[NZP]陶瓷零膨胀性能的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了「NZP」材料的零膨胀性能,并尝试对零膨胀的「NZP」陶瓷作了设计,从晶体结构、原子复合、各向异性、显微结构和复合材料等方面提出了设计思路。 相似文献
9.
在真空系统中的氘压低于0.1 MPa条件下研究了金属镱的吸氘性能,并对不同原子比的氘化物的物相进行了分析.在常压、300 ℃下,金属镱吸氘不明显;400 ℃时,金属镱经较长时间活化后吸附一定量的氘;500 ℃时,镱升华.400 ℃时的吸氘实验结果表明:从活化至开始吸氘直至吸附平衡需很长时间;氘/镱原子比的高低与吸氘时间有关,饱和吸氘时的原子比最大为2.00;金属镱为面心立方(fcc)结构,a0=0.549 2 nm.具有不同原子比的氘化镱的X射线衍射(XRD)分析结果显示:氘化镱有2种结构,即面心立方结构(a0=0.524 nm)和正交结构(a0=0.588 nm、b0=0.358 nm、c0=0.678 nm);金属镱吸氘后,立方结构氘化镱晶格常数及晶胞体积均发生收缩现象,收缩率分别约为4%和11%.正交结构氘化镱晶胞体积收缩约14%. 相似文献
10.
分别测量了LaNi4.25Al0.75和LaNi4.75Al0.25两种合金样品在未吸氘及不同含氘量的氘化物样品的中子衍射谱,用Rietveld程序拟合出它们的晶体结构,并观察到了一些过去未曾注意的现象.LaNi4.25-Al0.75在吸氘过程中,氘原子优先占据的原子坐标为(0.17,0.32,0.45). 相似文献