方正电子将亮相2015中国国际标签展

<正>3月9日-11日即将于广州琶洲举办的2015中国国际标签印刷技术展览会上,北京北大方正电子有限公司将携最新研制的方正桀鹰K300S高速可变数据喷印系统亮相,向业界展示领先的可变数据喷印整体解决方案。方正桀鹰K300S高速可变数据喷印系统将继承方正桀鹰喷印系统一贯的稳定性,不仅具备较高的印     

方正智慧出版“思享汇” 点燃智慧出版新思潮星星之火

<正>近年来,互联网相关技术的跨越式发展,使得科技与出版的融合日益紧密,传统出版与数字出版的创新融合,使盈利模式逐渐清晰,政府的支持力度也愈发强劲。2015年,"互联网+"成时代热词,行业应用典范相继涌现。5月7日,一场汇集数字出版界行业智慧的分享之旅在上海正式启动,方正电子     

CuO/ZnO甲醇合成催化剂的正电子湮没谱学研究

发展了用正电子湮没寿命参数测定用共沉淀方法制备的金属氧化物系固溶度的新方法。测量了一系列用共沉淀方法制备的不同CuO at％含量的CuO/ZnO甲醇合成催化剂粉末(压制成片)还原前后的正电子寿命谱。分析该种催化剂的固溶特性及其与正电子寿命参数的关系,得出还原后样品的固溶度为12CuOat％.支持了CuO/ZnO甲醇合成催化剂以Cu~+离子为活性中心的观点。     

寿命谱仪能窗选择

近年来正电子湮没技术发展很快。它已经广泛地应用于各种领域中,在某些领域如金属及合金的研究中几乎成为一种常规的手段。 正电子湮没实验技术有三种主要的方法即寿命测量、能量的多普勒展宽测量、角关联测量。其中的寿命测量从概念上讲是比较直接的,但是从仪器设备和它的合理使用上讲,寿命测量是三个正电子方法中最为复杂的。 对于正电子寿命测量所使用的正电子寿命谱仪来说,谱仪的分辨率是最为重要的指     

纳米晶合金中缺陷总体变化的多普勒湮没能谱初步研究

用正电子湮没多普勒展宽能谱测量和分析了若干急冷淬火制备的薄带，表明软磁Fe基纳米晶合金中的缺陷（自由体积）远多（大）于其晶化前的非晶态；能够晶化成纳米晶的Fe基非晶制备态材料中的缺陷也多（大）于类似成分但又不能晶化成纳米晶的非晶态材料中的缺陷；Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5b9.0合金的急冷淬火制备态在热处理过程中，低温退火时缺陷减少，高于200℃的退火导致缺陷增加，纳米晶化后的进一步退火缺陷基本不增加；Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5B9.0合金纳米晶化后，在所选定的测量条件下没有发现正电子湮滑参数时间，温度的变化，说明该材料缺陷结构相当稳定。     

新型超微晶软磁合金FePCCuMoSi微观结构缺陷的正电子湮没研究

用正电子湮没方法研究了新型超微晶软磁合金的微观结构缺陷，样品选用的是在不同温度下退火的Ｆｅ８１Ｐ１２Ｃ３Ｃｕ１Ｍｏ０．５Ｓｉ２．５合金，结果表明，合金的微观结构构陷大小，密度随退火温度有规律地变化，这种现象可能与非晶的晶化过程有关。     

光敏丝室探测器PET的触发判选处理器

介绍了为光敏丝室探测器PET而设计的触发判选处理器（TRIG）的结构和原理，该处理器具有触发判选，计数率损失测量，随机符合事例率测量，探测器分区计数统计以及系统定标等多项功能，由于应用了EPLD技术和流水线作业等技术，实现了TRIG系统的高集成度和高性能 。     

变温条件下HDPE/CB的正电子湮灭特性

对掺杂了25份（phr）导电炭黑（CB）的样品进行了正电子湮灭寿命谱的变温测量，在玻璃化转变温度以上，随着温度的增加，自由体积的大小线性增加，在玻璃化转变温度以下，自由体积的大小基本不变，o-Ps的强度在－40℃下基本不变，从－40℃以上开始增加，但在50℃以上上升有加快的趋势，与PTC材料的PTC现象和导电性能有一定的关联。     

用正电子湮没技术研究微量铝对铁基非晶态合金的影响

用正电子湮没技术研究了七种铁基非晶态合金，结果表明铝含量高的合金的正电子湮没参数大于铝含量低的合金，意味着铝的存在会造成铁基非晶态合金微观结构的不均匀性，很可能是较多的类空位缺陷出现。