高效率平面磁控溅射器的研制

介绍一种新型磁控溅射装置。它采用两块极性相对的环状磁铁的设计方法，通过扩大靶表面的等离子放电区域面积，使传统磁控溅射枪使用中经常受到的两个限制──溅射速率与靶的利用率得到了较大的改善。实验中铜靶在溅射功率密度为11W／cm~2时溅射速率约为800nm／min，如果继续提高功率则可获得更高的速率。而靶的利用率可达64％左右。另外，在认为出射粒子符合cos~nθ分布的前提下，发现当n＝3．3时，实验数据和理论数据符合得较好。     

确定ξ(2230)自旋的一种新方法

本文得到了过程e~ e→J/ψ→γB(J~η)、B(J~η)→P_1P_2的矩的光子角分布,提供了确定ξ(2230) 自旋的新途径。     

27keV Ar~+斜入射时的Cu-Au合金溅射实验角分布

用27keV Ar~+分别在垂直和倾斜入射情况下,轰击了Cu-Au(30wt％)合金样品,测量了Cu和Au原子的溅射角分布。角分布是用卢瑟福背散射(RBS)技术分析Al捕获膜上的Cu-Au沉积成分而定量得到的。结果表明:(1)在Ar~+倾斜(θ=40°)入射时,Cu原子择优发射,且程度比垂直入射(θ_r=O°)时增强:(2)倾斜入射时,Cu原子的角分布显示出在接近于样品表面法线方向的发射角范围内(θ<45°),发射机率比垂直入射时减小。     

基于屏栅电离室的双参数谱仪研制及其应用

以屏栅电离室为基础，同时引出其阳级和阴极信号，研制了1台能够同时记录两路信号的双参数谱仪，在DEC－3000工作站上编制程序，实现了双维谱数据的获取、显示和存储。利用所建立的谱仪，测量了α放射源的双维谱，计算了α粒子的角分布，并讨论了如何利用角分布来校正活度测量中自吸收和反散射的影响以及改善电离室阳极能谱的能量分辨率。     

~4He普适唯象光学模型势

通过符合入射⁴He能量在386 MeV以下的去弹截面和弹性散射角分布实验数据,得到了一组普适的4He能量在386 MeV以下的去弹截面和弹性散射角分布实验数据,得到了一组普适的⁴He与质量数A为204He与质量数A为20²09靶核反应的唯象光学模型势参数,理论结果与实验数据作了分析比较,理论结果与实验数据一致。     

三维模型中的多普勒功率谱分析

多普勒效应是移动通信中最常见的现象,研究多普勒功率谱密度的分布,对建立更准确并贴合实际的无线信道模型具有重大意义。分析了两种不同几何模型中的多普勒功率谱,重点讨论了三维模型中入射波到达角度对多普勒功率谱的影响,仿真结果表明,方位角和高度角的分布及最大角取值范围共同决定了多普勒功率谱的分布特性。