低铅真空蒸馏富集Ge,In,Ag

对隔焰炉底铅进行分步真空蒸馏的小型试验结果：第一次蒸馏获得冷凝合金含８６．７２％Ｚｎ的粗锌，将残留合金进行二次蒸馏获得冷凝合金含７５．９４％Ｐｂ的粗铅，Ｇｅ、Ｉｎ、Ａｇ富集于最终残留合金中，千克级规模一步蒸馏。在１０００℃下恒温１８０ｍｉｎ，真空度６６．７～３９．９Ｐａ，将Ｚｎ、Ｐｂ蒸出。残留合金中Ｇｅ、Ｉｎ、Ａｇ的含量分别为９．９６％、６．６７％、８．９７％，富集比分别为７．２１倍、６．６７倍、     

9 新型钠铊铟钍金卤丸研制

传统的Philips目光色金卤灯通常使用NaI—TlI—InI作发光材料，但制成灯的光色参数不理想，主要问题是发光效率低、光色不一致、色差大。针对上述问题，对钠铊铟的配比作合理调整并在合成时添加适量碘化钍，使之与碘化钠生成络合物，从而提高碘化钠的蒸气压，增加了电极间钠离子浓度，钍在可见光范围内同时又有丰富的光谱贡献。新型钠铊铟钍金卤丸研制成功，打破了只有钪钠钍系列药丸能生产高光效金卤灯的传统观念。由于灯的相对色温达到了5000K，目视看不出成灯间的色差，解决了长期以来灯的光色不一致问题。使用研制成功的钠铊铟钍金卤丸制灯，发光效率大于1001m／W，真正做到了绿色节能。这一成果已申报国家发明专利。     

中国铟、钼厂家因新配额制而感到威胁

中国对铟、钼出口的新配额制可能使小的或中等的铟厂及辽宁省的钼厂退出贸易。[第一段]     

Indium Corporation Introduces New Pb-Free VOC-Free Wave Solder Flux

The Indium Corporation of America has introduced WF-7742 Wave Solder Flux specifically designed to meet the process demands of Pb-Free manufacturing. WF-7742 is a VOC-Free material formulated for Pb-Free wave soldering of surface-mount, mixed-technology and through-holeelectronics assemblies.     

织构对铟凸点剪切强度的影响

制作了2种形式的铟凸点：即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。同时对比了铟柱和铟球2种凸点的剪切强度，测试结果表明铟球剪切强度为5.6MPa，铟柱的剪切强度为1.9MPa，前者约为后者的2.9倍。对铟凸点微观结构的X光衍射分析发现：铟柱剪切强度低是织构弱化所致；铟球剪切强度高是由于回流破坏了铟柱的理想（101）丝织构模式，从而提高了铟球的剪切强度。     

D2EHPA从Ag(Ⅰ)和In(Ⅲ)的硝酸溶液中萃取In(Ⅲ)

在核医学上~(111)In是一种由加速器生产的非常重要的同位素。它的主要用途为软组织肿瘤定位、绘制脑图、延脑池扫描、淋巴系统的肿瘤定位等。它既可作注射液,又可作标记化合物。本文研究了In(Ⅲ)在两相中的分配比与酸度的关系,与二-(2-乙基己基)磷酸(简称D2EHPA)浓度的关系,与In(Ⅲ)含量的关系,用不同酸度的HCl溶液从D2EHPA有机相中反萃取In(Ⅲ),在1mol/1HCl溶液中从有机相中反萃取In(Ⅲ)得到的回收率平均值为90.6±2.4％。     

高速InGaAs HBT器件和电路

本文综述了ＩｎＧａＡｓＨＢＴ技术在高速电子电路中的应用，讨论了对集成电路有重要意义的Ａｌ０．４８Ｉｎ０．５２Ａｓ／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ和ＩｎＰ／Ｉｎ０．５３Ｃａ０．４７Ａｓ两类异质结系统的性质。最后，给出了光通信中应用高速和低电源电压集成电路的实例。