低铅真空蒸馏富集Ge,In,Ag

对隔焰炉底铅进行分步真空蒸馏的小型试验结果：第一次蒸馏获得冷凝合金含８６．７２％Ｚｎ的粗锌，将残留合金进行二次蒸馏获得冷凝合金含７５．９４％Ｐｂ的粗铅，Ｇｅ、Ｉｎ、Ａｇ富集于最终残留合金中，千克级规模一步蒸馏。在１０００℃下恒温１８０ｍｉｎ，真空度６６．７～３９．９Ｐａ，将Ｚｎ、Ｐｂ蒸出。残留合金中Ｇｅ、Ｉｎ、Ａｇ的含量分别为９．９６％、６．６７％、８．９７％，富集比分别为７．２１倍、６．６７倍、     

锗γ能谱测量中的符合相加修正

本文介绍了锗γ能谱测量中符合相加修正的原理和方法,给出了修正公式。分别计算了不同几何条件下两个锗探测器对一些放射性核素的符合相加修正因子,估计了符合相加修正因子对活度测量结果的误差贡献。     

MC68HC908RF2在汽车远程无匙进入系统中的应用

汽车远程无匙进入(RKE)方案对于汽车的配置来说，已经作为一种标准配置，成为汽车不可或缺的部分。汽车远程无匙进入(RKE)对于提高汽车的防盗性、控制性有重要意义。本文介绍了一种基于飞思卡半导体(前摩托罗拉半导体)公司的MC68HC908RF2汽车远程无匙进入(RKE)方案。     

锗

需求动向：日本市场国内锗的大部分需求是用作PET(聚对苯二甲酸乙二醇脂)树脂催化剂，此外，还作为光纤涂覆材料、荧光体等。近年来，在所谓的健康用途方面需求似乎在增加，但实际情况不详。估计整体需求以金属锗计30t左右(以氧化物计44t左右)，比上年减少14％。     

Pd／Ge薄膜体系中分形的形成

近年来,分形的研究已成为国内外的热门课题之一。利用分形的概念,可以从新的角度去归纳认识一些物理现象和规律,从而大大推动了材料科学研究的深化。本文报道了用透射电镜对Pd/Ge薄膜体系中分形形成的研究。为探讨薄膜制备方法、膜厚比以及退火温度对分形形成的影响,利用真空镀膜仪制备了Pd-Ge共蒸膜、Pd/a-Ge双层膜(先蒸Ge后蒸Pd)和a-Ge/Pd双层膜(先蒸Pd后蒸Ge),试样制备条件如表一所示。制备好的膜在真空炉中退火,退火温度分别为200℃、250℃、300℃、350℃和400℃,时间均为30秒。透射电镜观测在目立H-800上进行。     

锗酸铋（Bi4Ge3O12）单晶热物理性质的研究

本文用不同的测试技术和方法测定了锗酸铋(BGO)单晶的比热(300～800K)热膨胀系数(100～1100K)和导温系数(140～700K),进而导出了 BGO 单晶不同温度下的导热系数、定容比热、德拜温度和格虑内森数。本文还对 BGO 单晶热物理性质的变化规律作了理论解释。     

用OKK关键设备配68B型设备生产实践

本介绍用日本ＯＫＫ公司部分设备对６８Ｂ型设备进行组合配套，纺纯毛３３．３、２３．８、２０．８、１９．２、１７．８、１６．７、１４．３和毛涤１８．２、１４ｔｅｘ等品种时工艺试验的探讨。