梅塞尔在华第二家稀有气体工厂投产

<正>近日,全球工气体公司梅塞尔集团位于四川省攀枝花市的稀有气体——氪气和氙气工厂正式投产。这是梅塞尔在中国投资的第二家稀有气体工厂,位于湖南省湘潭市的第一家工厂已于2012年投产。梅塞尔的这家新工厂将年产氪气5000 m3,氙气450 m3,纯度等级达到并超过99.999%,这也使     

从二次资源中回收锗的研究进展

锗及其化合物在电子工业、红外光学、光纤通信、化工催化剂等领域应用广泛。伴随着市场对锗的需求显著增加,固废资源化处置的形势严峻,从二次资源中回收锗的技术日益受到关注。概述了从湿法炼锌浸出渣、废弃光导纤维等二次资源中回收锗的方法,并总结了各自的优缺点,指出溶剂萃取法和离子交换法具有选择性好、回收率高等优点,是未来锗回收的发展方向。     

铌和钨对γ-TiAl基合金热稳定性的影响

采用光学显微镜(OM)，扫描电镜(SEM)，X射线衍射研究了TiAl—5Nb，TiAl—14．3Nb，TiAl—8Nb—1W，TiAl—12．3Nb-2W四种合金片层组织在1000℃的热稳定性。结果表明，TiAl—12．3Nb-2W合金热稳定性最好，但合金元素对TiAl基合金热稳定性的影响机理还有待进一步的研究。     

多孔陶瓷载体氧化铝涂层的研究

分别用纳米γ-Al₂O₃和SB粉制备了多孔陶瓷载体的Al₂O₃涂层。BET法测定了多孔陶瓷载体Al₂O₃涂层改性前后比表面积的变化。由SEM照片观察多孔陶瓷载体涂层改性前后表面和断面的形貌。结果表明，这两种方法对多孔陶瓷载体涂层改性均有效可行。     

使用Monte Carlo方法对光子-物质的相互作用进行模拟

在医学影像获得方法中，核医学与传统的放射线探测，扫描仪探测，核磁共振相比，是唯一能获得器官功能性信息的方法，但它获得的图像质量不如其他方法。开发了一种图像探测仪并使用Monte Carlo方法对其各组成部分进行模拟从而可以通过调整参数来获得高分辨的图像。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

用自然伽玛能谱测井资料确定岩层矿物成份及粘土类型

本分析了岩层中放射性元素的分布及能谱特征，研究了矿物成份与它们的关系，并利用体积模型计算矿物含量，确定粘土类型。以自然伽玛能谱测井资料与Ｘ衍射资料作对比以佐证其效果，进而用能谱资料对两口井的沉积相作分析。     

低铅真空蒸馏富集Ge,In,Ag

对隔焰炉底铅进行分步真空蒸馏的小型试验结果：第一次蒸馏获得冷凝合金含８６．７２％Ｚｎ的粗锌，将残留合金进行二次蒸馏获得冷凝合金含７５．９４％Ｐｂ的粗铅，Ｇｅ、Ｉｎ、Ａｇ富集于最终残留合金中，千克级规模一步蒸馏。在１０００℃下恒温１８０ｍｉｎ，真空度６６．７～３９．９Ｐａ，将Ｚｎ、Ｐｂ蒸出。残留合金中Ｇｅ、Ｉｎ、Ａｇ的含量分别为９．９６％、６．６７％、８．９７％，富集比分别为７．２１倍、６．６７倍、