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以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制. 相似文献
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本分析了岩层中放射性元素的分布及能谱特征,研究了矿物成份与它们的关系,并利用体积模型计算矿物含量,确定粘土类型。以自然伽玛能谱测井资料与X衍射资料作对比以佐证其效果,进而用能谱资料对两口井的沉积相作分析。 相似文献
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对隔焰炉底铅进行分步真空蒸馏的小型试验结果:第一次蒸馏获得冷凝合金含86.72%Zn的粗锌,将残留合金进行二次蒸馏获得冷凝合金含75.94%Pb的粗铅,Ge、In、Ag富集于最终残留合金中,千克级规模一步蒸馏。在1000℃下恒温180min,真空度66.7~39.9Pa,将Zn、Pb蒸出。残留合金中Ge、In、Ag的含量分别为9.96%、6.67%、8.97%,富集比分别为7.21倍、6.67倍、 相似文献