发光二极管的研究现状与发展趋势

Ⅱ－Ⅵ族，Ⅲ－Ⅴ族化全物半导体是制作显示器件的重要材料，随着制作工艺日趋成熟，发光二极管已广泛地应用于 民经济各部门。要方要介绍了国内外发光二有管的研究两头和发展趋势。     

硅梁式引线肖特基混频四管堆

介绍了硅梁式引线肖特基混频四管堆的研制。通过计算,获得各项设计参数,讨论了所采用的一些新工艺,管堆总电容C_t≤0.5pF,串联电阻R_s≤4Ω,管堆一致性和可靠性好。将管堆用于S波段双平衡混频器HSP25,性能优良。在这个研制的基础上,可以制作出其它多种形式的梁式引线器件。     

一种新型硅三端负阻器件

提出并研制成一种新型硅三端负阻器件。该器件由一n沟耗尽型MOS管、一横向pnp双极晶体管和一个电阻集成而得。它具有“双负阻”特性和正阻区阻值易于控制等特点。由理论计算出的器件I_c—V_(CB)特性和负阻参数与实验结果符合良好。     

弧焊逆变电源的发展趋势分析

本文针对弧焊逆变电源中的几个关键问题，如功率开关器件的性能特点，增大输出变压器的功率，逆变电源的智能控制等，评述了当前的技术水平及今后的发展趋势。     

罗克韦尔安全监控系统在火电机组中的应用

本文介绍了罗克韦尔自动化产品状态监测与故障诊断系统在火电机组的实施与应用，并进一步阐明该系统在企业设备状态检修管理工作中发挥的积极作用。     

基于SHDSL的IAD接入技术

单线对高比特率数字用户线(SHDSL)支持利用现有铜线对进行上、下行速率对称的宽带数据接入(在相类似的技术中,其性能最佳)。综合接入设备(IAD)完成各种网络终端的统一接入,并将这些话音、数据等多种业务融合在一起,统一实现各自的功能。将这两项技术完美地结合,可为NGN提供一种全新地宽带接入方式。文章主要分析了基于SHDSL的IAD接入的网络结构、SHDSL功能模型、用户数据的映射和封装,以及基于SHDSL的IAD技术应用前景。     

通用即插即用(UPnP)体系架构在可靠性方面的改进与实现

对目前较新颖的开放标准,通用即插即用(Universal Plug and Play,UPnP)体系架构进行研究并提出改进可靠性的思路。对通用即 插即用体系的术语、网络协议的交互使用以及工作流程做了研究。提出实际应用中存在的可靠性问题,并给出状态服务器的网络逻辑模型以 维护通用即插即用网络上的设备可用信息。     

高效柔性制造技术的新进展

以数控技术为中心的高效柔性制造技术是当前加工技术发展的主流，具有3F、3I和3S的特征。文章分析了高效化和柔性化的主要发展目标，其主要研究方向为发展适于全面高速化、过程链集约化和大批量订制化的制造装备及其系统，使之能在多品种变批量的市场需求条件下实现响应敏捷化、运行智能化和效益最优化。提出了发展快速重组制造系统及可重构制造设备作为统一高效和柔性两者要求的一个合理解决方案，并进一步探讨了可用于网络化环境的制造单元的结构体系。     

ZnCdO: Status after 20 years of research

With the increasing attention devoted to ZnO in the late nineties, the discovery of ZnCdO as a means of reducing its bandgap towards visible wavelengths promised it a bright future in optoelectronics, which should run in parallel to its possible applications as a transparent conducting oxide. This review will cover the developments achieved so far in the growth of ZnCdO, in the understanding of its structural properties, paying special attention to the competition between wurtzite and rocksalt phases, as well as in the analysis of its optical and electronic properties. Finally, some of the devices demonstrated with ZnCdO will be reviewed together with the difficulties they have encountered.     

Enhanced piezoelectric properties and temperature stability of Bi4Ti3O12-based Aurivillius ceramics via W/Nb substitution

Bi₄Ti₃O₁₂ (BIT), a typical Aurivillius ceramics with high Curie temperature (T_c ? 675 °C), has great potential for high temperature applications. This work provides an effective method of inducing structure distortion, relieving the tetragonal strain of the TiO₆ octahedron and decreasing the concentration of oxygen vacancies to improve the piezoelectricity and temperature stability of BIT ceramics. Bi₄Ti_2.98W_0.01Nb_0.01O₁₂ possesses an optimum piezoelectric coefficient (d₃₃) of 32 pC/N, a high T_c of 655 °C and a large resistivity of 3 × 10⁶ Ω·cm at 500 °C. The maximum d₃₃ reported here is approximately quadruple than that of pure BIT (?7 pC/N). Moreover, the d₃₃ of W/Nb co-doped BIT and the in-situ temperature stability of the compression-mode sensor present a highly stable characteristic in the range of 25–600 °C. These results imply that W/Nb-modified BIT ceramics is a promising candidate for application at high temperatures of up to 600 °C.