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1.
热处理WO3电变色膜稳定性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用电子束蒸发淀积WO3薄膜。根据已有的WO3薄膜脱水过程结论而选择适当温度对薄膜进行退火处理。在大量含水的和不含水的两类Li^+电解质中进行比较性着色和消色循环实验,表明在290℃以下热退火处理能明显增加WO3薄膜在含水 电解质中的循环寿命。  相似文献   
2.
袁璐  张旭苹 《电子器件》1994,17(1):55-61
由阴极着色三氧化钨膜和阳极着色普鲁士蓝(PB)膜组成的电致变色装置可用作汽车的“灵巧窗”.这些窗可望能减少太阳热造成的空调系统的负载及用作为汽车的保密涂层.这种窗必须在高温下有很好的稳定性.本文讨论了25到80℃的温度范围内.互补WO_3-PB装置的热稳定性和电致变色开关特性.这种装置在温度高达80℃时仍具有很好的热稳定性.在高温下.电致变色开关特性加快.  相似文献   
3.
全固态电致变色灵巧窗材料   总被引:3,自引:0,他引:3  
回顾了以WO3为核心的Li离子导体全固态灵巧窗的结构和性能及其实用性,并着重讨论了WO3电致色膜,有机和无机Li离子导体和反电极的特性。还介绍了全固态电致色灵巧窗的研究现状及其发展趋势。  相似文献   
4.
WO3(三氧化钨)薄膜厚度的选择对电致变色器件性能有至关重要的作用。通过TFCalc软件理论计算WO3薄膜褪色态、着色态透过光谱及其光学调制幅度变化;通过在FTO(氧化锡掺氟)玻璃上制备氧化钨薄膜,研究分析不同厚度氧化钨晶体结构与光学调制幅度相关性。对比研究发现:WO3厚度的选择应根据着色态透过率和实际的光学调制幅度确定,光学理论计算WO3薄膜的调制幅度有一定的局限性,这与晶态WO3薄膜的结构发生变化有关。  相似文献   
5.
WO3循环氧化还原法制备超细钨粉的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
选取三氧化钨为原料,通过5次还原4次氧化制备出超细钨粉,所得金属钨粉的平均粒度约为0.38 μm,比表面积高达3471.79 m2/kg.金属钨粉在低温慢速氧化可得到松散多孔状态的三氧化钨颗粒,还原此种三氧化钨可得到超细钨粉.同时通过实验发现,金属钨粉在规定条件下进行氧化,得到的三氧化钨粒度与初始原料金属钨粉的粒度无关.  相似文献   
6.
WO_3掺杂NiO的气敏性能研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
用水热法制备出NiO纳米粉体,对其进行了WO3系列掺杂。利用XRD对产物晶相结构进行表征,测试了掺杂材料的气敏性能。结果表明:适量WO3的掺杂明显改善了NiO材料的气敏性能,其中,掺杂质量分数为6%的气敏元件性能最好,350℃时对Cl2的灵敏度可达到37.5,200℃时对H2S的灵敏度可达30.4。说明该元件在不同温度下对不同气体具有选择性,且该元件对H2S响应恢复快。  相似文献   
7.
三氧化钨催化氧化环己烯合成己二酸   总被引:10,自引:5,他引:10  
阎松  姜恒  宫红  王锐 《中国钨业》2005,20(2):33-35
无需有机溶剂、酸性配体及相转移剂,以30%H2O2为氧源,单独使用三氧化钨作催化剂催化氧化环己烯合成己二酸即可达到较高的产率和纯度。当三氧化钨用量为5.0m m ol,W O3:环己烯:H2O2的摩尔比为1:40:176时,在回流温度下反应6h,己二酸分离产率为75.4%,己二酸纯度99.8%。三氧化钨催化剂重复使用4次,己二酸的分离产率仍可达到70%以上。结合FTIR和XRD分析证明了三氧化钨催化氧化环己烯反应过程中催化剂的结构稳定性和重复使用性。  相似文献   
8.
三氧化钨(WO3)是制造晶体管和光电探测器的理想材料,虽然在WO3纳米结构的生长方面已经完成了一些工作,但是制造足够长的理想型纳米线仍然是一个挑战。在众多的合成方法中,作者选择了化学气相沉积(CVD)方法合成WO3纳米线,并对其在光电传感器中的应用进行了研究。影响WO3纳米线成品率的主要因素是前体材料温度、基片位置、载气流速和生长持续时间。在合适的生长条件下生长的纳米线长度最长约为100 μm。这些WO3纳米线可用来制造高性能的光电探测器,WO3光电探测器具有灵敏度高、响应速度快、模块微型化等优良的器件性能,表明二维WO3纳米线在光电探测器的制造中具有很大的优势。   相似文献   
9.
《中国金属通报》2011,(2):10-10
近日,吉林省有色金属地质勘查局603队以1.1亿元出让价格将珲春市杨金沟钨矿探矿权转让给珲春金地矿业股份有限公司。珲春市杨金沟钨矿位于珲舂市舂化镇境内,现已探明三氧化钨金属量为11.3万吨,平均品位为0.36%。据介绍。杨金沟钨矿项目开发预计总投资5亿元,为井下开采方式,  相似文献   
10.
通过激光粒度分析仪和电子探针扫描仪检测试验结果可得,利用紫钨连续循环三次还原,还原工艺为:一带温度640℃,二带温度760℃,三带温度860℃,当温度达到860℃时保温20 min两次氧化,氧化工艺为:钨粉在空气中缓慢地升温到500℃,当温度达到500℃时保温10 min,可以制备出粒度分布在0.11与0.95μm之间占93.68%,比表面积(BET)为1.082 m2.g-1的亚微米钨粉。  相似文献   
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