VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

基于误差估值累加开环校正的诱导式欺骗检测方法

诱导式卫星欺骗干扰可诱导航空器逐渐偏离预定航迹，难以被发现，因此及时有效地检测干扰是飞行安全的保障。在现有紧组合导航体制基础上，设计了一种基于误差估值累加开环校正的紧组合导航结构，并证明了其性能与传统闭环校正紧组合导航性能等效。在此结构中，将紧组合导航系统与自适应序贯概率比检测方法结合，提出了一种基于误差估值累加开环校正的诱导式欺骗检测方法，融合紧组合导航信息与其他不受欺骗影响的导航信息，构建欺骗检测统计量进行诱导式欺骗检测。仿真结果表明，开环校正结构可避免随时间累加的惯性导航系统误差所导致的组合导航滤波器发散问题，同时欺骗检测方法可进一步提高算法对“最坏”情形下微小诱导式欺骗的检测效果。     

“碳化硅功率半导体技术”专题前言

半导体功率器件(即电力电子器件)是电力电子技术的三大核心基础之一,被比作电力电子装置的“CPU”。现有功率器件多采用Si基或SOI基,但是受限于自身材料特性的影响,在节能与转换效率方面越来越显示出他们的局限性。为解决上述问题,半导体功率器件除了继续对传统器件进行新理论和新结构的创新研究外,也正在遵循“一代材料、一代器件、一代装置、一代应用”的发展趋势,从传统的Si基和SOI基向宽禁带半导体SiC和GaN基进行扩展和延伸。     

锁环式快开门式压力容器安全联锁装置

锁环式快开门安全联锁装置是适用于快开门式压力容器—锁环式快开门容器的安全联锁装置。其主要由泄放螺栓、弹簧管、连杆、曲柄滑块、曲柄滑块旋转轴、折叠连杆定位销、锁环补偿块组件构成。本装置满足TSG 21中3.2.16条对安全联锁装置的要求,为容器操作人员、周围环境及容器系统提供安全防护。     

航空运营与管理课程的教学实践

阐述航空运营与管理课程的教学实践，教学内容的模块化设计、基于问题的解决方法和案例式教学、以岗位能力培养的实践化教学。     

废弃巷改造水仓沉淀池的应用实践

大尹格庄金矿1号矿体存在排水线路长,水中尾砂、胶结料和淤泥等阻塞淤积大巷水沟,深部生产供水线路长、高差大,闸阀损坏、爆管等问题,影响生产中段运输放矿;通过封堵-496一分段废弃工程建成平流式水仓沉淀池,解决了1号矿体供、排水问题,水仓工程量少、工艺简单、取得了良好的经济效益和社会效益.     

浅谈压力式温度计示值误差测量结果的不确定度评定

为了帮助试验人员深入了解压力式温度计的原理及作用,详细介绍了温度计示值误差测量结果的不确定度评定方法。影响压力式温度计示值误差结果的主要因素是,被检温度计的示值重复性、恒温槽温度不均匀性和恒温槽温场的波动。为了保证压力式温度计测量结果不确定度评定具有较高的可靠性,试验人员需要对影响评定可靠性的各种因素进行全面的分析,找出温度计示值的误差,从而确保温度计能够更好的被投入使用。     

ZY6400/23/47型掩护式液压支架偏置改造

铁煤集团大兴矿(以下简称"大兴矿")2019年产240万t,井田位于铁法煤田的西南角,火成岩侵入及地质构造复杂,煤层破坏程度严重[1-2]。受火成岩影响,煤层瓦斯含量大幅增加[3-4],渗透性能差,力学强度低,煤的含水率低,自然发火期较短,是煤与瓦斯突出矿井。在采煤过程中,防治自然发火是重中之重,综采设备在设计初期未考虑实施灭火的操作空间,为此,笔者提出通过改造综采设备增加实施灭火的操作空间,降低出现自然发火灾害时防治的难度,保证采煤安全。