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介绍了单端正向变换器基本电路，重点叙述带三路调节DC电压的100KHZ180W离线电源。它采用具有低导电阻RDS和低栅极电荷Qg的新型场效应管（QFET）作为变换电路的主开关器件，降低了电源开关损耗并提高了效率3%-5%。 相似文献
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6.
孙铁成 《自动化技术与应用》1991,10(2):48-51
本文介绍了场效应管构成的脉宽调制型直流压器工作原理，主回路系统键元件选择原则，并由此提出了控制电路的设计思想，这种稳压 特点是结构简单，体积小，重量轻，功率高，抗干扰能力强及可靠性高，在电源领域有着广泛的应用前景。 相似文献
7.
场效应管与运算放大器组成的三角波信号发生器，既可逆式自动移相电路，用于频闪灯触发信号的自动移相，解决了观察高频振动物体的关键技术问题。 相似文献
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9.
电视发射机全固态化是发展趋势。全固态化电视发射机的性能和可靠性主要决定于大功率射频半导体器件的性能和质量。本文详细介绍了美国ＨＡＲＲＩＳ公司ＶＨＦ电视波段用的ＭＯＳ场效应管１ＫＷ功放组件，以及采用这一功放组件的ＶＨＦ彩色电视发射机。 相似文献
10.
亚微米MOS场效应管的完全解析二维模型 总被引：3，自引：1，他引：2
本文对二维非线性泊松方程这一基本问题进行了求解.采用一个微分算符将泊松方程分解成自由载流子部份和掺杂分布部份.自由载流子部份正是著名的刘维方程,具有解析解。掺杂分布部份采用“相似变换”的方法予以求解.将包含自由载流子影响的完全的二维电势分布用于亚微米MOS场效应管,得到了阈值电压的解析模型.它能很好地说明短沟道效应.本解析模型的特点是其完整性及简单性.它能很方便地用于器件模拟,也能推广到三维情况. 相似文献