基于APD的2.5D封装中介层自动化设计

由于高带宽存储器(High Bandwidth Memory,HBM)的高带宽特性,在2.5D封装中介层(Interposer)的版图设计过程中存在大量HBM接口的连线需要手动完成。介绍了如何使用SKILL语言在Allegro封装设计工具(Allegro Package Design,APD)中实现HBM接口的自动布线,将原来的手动布线时间从2周缩短到10 min,大大压缩设计周期。     

BT挂机，下载完成就关机

BT是笔者常用的下载方式，有时为了下载一些大容量的东东，经常是让电脑通宵达旦地挂机工作，但BT下载完成后还会自动做种，进行上传，不能自动关机。     

一种在线烧写Flash的方法研究与实现

本文介绍了一种基于VXI总线，共享存储器的Flash ROM在线烧写方法，阐述了系统的功能，并给出了系统的硬件组成和软件设计。     

串行存储器MM36SB020与单片接口技术

本文简单介绍了MEGAWIN公司生产的e-Flash存储器MM36SB020，讲述了它的特点、结构、指令集并给出了它的读写程序．该串行Flash存储器因体积小、密度高、功耗低、操作简单而倍受青昧，具有掉电保存数据的特点．     

OTP工艺的基本特点和工艺难度简介

什么是OTP?——这样的产品只允许写入一次，所以被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。     

铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

嵌人式与独立存储器设计上的差异分析和研究

进入21世纪,随着集成电路的发展,SoC(System on Chip)片上系统应运而生。而作为SoC重要组成部分的嵌入式存储器,在SoC中所占的比重正逐步增加,并起着越来越重要的作用,那么嵌入式存储器与独立的存储器芯片在设计上存在着哪些差异?对此本文将以NOR型闪存为例在制造工艺的选取、衍生产品的设计、功耗与噪声、后端功能仿真、测试与修复等方面进行分析和研究。     

日本KDDI开发出最新光通信技术

日本KDDI研究所新开发的光通信系统可在每秒钟的时间内最多传输1800部两个小时长的电影的信息量，3年内即可把它应用在构筑国际和国内大容量高速通信网络上。     

IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

超高压大容量铝电解电容器的研制

分析了大功率设备用超高压大容量铝电解电容器的特点,通过研制工作电解液、制订制作工艺及零部件设计方案,研制出的超高压大容量铝电解电容器具有损耗角正切小(tgδ为0.25)、承受纹波电流能力强(100 Hz,2.12～27.8 A)及寿命长的特点,耐久性达到85℃,5 000 h。