发电机组高效节能配置方案

通过对在网通信用发电机组的容量、数量配置现状、在网发电机组的健康状况等进行分析,结合中国电信节能减排-油机减容增效的指导思想,针对当前形势,提出通信用发电机组高效、节能的配置方案。     

电子束光刻制备Au线栅阵列及表征

简单介绍了电子束光刻的优缺点及其在科研领域中展现的巨大应用潜力,重点阐述了如何利用基于扫描电子显微镜技术的电子束曝光工艺实现Au线栅阵列的制备,并得到了与实验设计周期和线宽相符的微结构。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对样片表面进行表征获得Au线栅的形貌和高度。通过测量接触角,获得了Au线栅的润湿特性。     

多指版图结构对纳米MOSFET阈值特性的影响分析

针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。     

基于UGNX的玻璃瓶容差控制方法与程序实现

容积计算贯穿于玻璃瓶样设计和模具设计的整个过程,其精确性直接影响瓶罐的成型质量,针对传统容积测试法效率低的问题,采用UGNX二次开发的方法,以UGNX8.0为平台,利用UGNX二次开发工具,结合VB.net高级编程语言,进行玻璃瓶样容差控制模块的开发。研究结果表明:运用开发完成的人机交互界面,通过调整因子即可对瓶颈和瓶身高度进行参数调整,输入误差值即可精确控制容差,并输出最优外形尺寸。     

基于SONET/SDH的存储网络容灾技术分析

文章分析了存储网络（SAN）容灾技术，认为在某些企业中，数据是至关重要的资产之一，是业务系统运行的血脉．保护企业的重要数据是企业成功的关键因素。文章讨论了设计容灾技术解决方案应考虑的各种因素，并给出了基于SONET／SDH的存储网络技术的体系架构设计方案。     

新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大     

新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征

采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.     

容灾系统中存储方案选择的研究

论文首先阐述了在容灾系统中存储方案的重要性,讨论了存储方案需要考虑的衡量指标,然后介绍了主要的存储方式,根据衡量指标划分了存储方式的特性范围,最后着重研究了容灾系统中存储方案的选择流程,并使用一个实例说明容灾系统中存储方案的选择流程。     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。