本征吸除硅片特性研究

本文描述硅本征吸杂片的特性参数,如吸除区宽度、洁净度,氧沉淀密度、MOS电容寿命,介绍了表面态密度及残余间隙氧浓度的检测方法和工艺对参数的影响及参数之间的内在联系,文章还实验论证了不同参数水平对器件成品率的影响,建立了以MOS电容寿命为主导的参数控制方法,利用本文提供的控制参数,可使CCD-512器件成品率达60％,以上优品率≥85％。     

科学级CCD相机的降噪技术研究

为了降低科学级CCD相机的噪声,提高相机的成像质量,针对不同的噪声源.根据相应的噪声产生原理,设计了实用的噪声抑制电路和处理电路.,应用于选用ISD029AP型CCD图像传感器自己开发的微光CCD相机,有效地降低了暗电流噪声,消除了复位噪声对真正信号的影响,使相机具有良好的成像质量.为了进一步提高该相机的信噪比,提出了相应的校正算法,进一步降低了暗电流噪声,降低了CCD像素间光响应的不一致性带来的噪声,使相机的成像质量得到提高.     

红外焦平面探测器暗电流计算

红外焦平面探测器的暗电流一般是在零视场(即盲冷屏)条件下进行测试,但这种测试方法必须改变组件结构,只适用于实验室测试.介绍了一种不需要改变组件结构,仅通过基本的性能测试就可以从理论上分析计算得到红外焦平面器件暗电流的方法.对320×256长波探测器组件的试验结果表明,用该方法得到的暗电流结果与用盲冷屏得到的暗电流结果非常接近,可作为红外焦平面探测器暗电流评估的快捷方法.     

碲镉汞长波探测器暗电流仿真分析

针对n-on-p型长波Hg1-xCdxTe红外探测器的暗电流进行建模分析,分析了不同机制对暗电流的影响,仿真分析结果和实际结果能够较好地匹配。得出探测器的工作状态暗电流Idark＝9×10-10 A,工作电阻Rr＝109?,品质因子R0A＝20?cm2。从仿真分析结果得出,在现有工艺下,Shockley-Read-Hall （SRH）复合和表面漏电是影响暗电流的最主要的非本征因素,其中SRH复合速率为2×1016/s?cm3,当表面态到达1×1012 cm-2,器件会出现严重的表面沟道。     

nBn型InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性研究

设计了nBn结构的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器,从理论和实验两方面对nBn器件的暗电流特性进行了研究,研究结果表明：理论计算的暗电流和实际测试结果趋势一致。另外,研制了p-i-n结构器件并与nBn器件进行了比较,测试结果显示：在77 K温度下,nBn器件的暗电流要比p-i-n器件暗电流小2个量级。温度升高到150 K时,nBn器件暗电流变大2个量级,而p-i-n器件暗电流变大4个量级;nBn器件峰值探测率下降到1/5,p-i-n器件峰值探测率下降2个量级。可见nBn器件适合高温工作,适合高性能红外焦平面探测器的研制。     

12.5 μm碲镉汞长波红外探测器暗电流研究

随着红外探测器技术的发展,延长探测器的工作波长成为重要的发展方向之一。由于工作波长随x值的变化而带隙可调,碲镉汞材料得到了广泛应用。随着波长增长,暗电流成为限制红外探测器发展的主要因素。以12.5 μm碲镉汞长波红外探测器为例,通过仿真研究了工作温度和固定电荷对其暗电流的影响,并对77 K和60 K下不同种类的暗电流进行了分析。该研究使我们对12.5 μm探测器的暗电流具有更深入的了解,为提高12.5 μm探测器的制备水平提供了方向。     

nBn型InAsSb探测器的材料及器件研究

nBn型红外探测器可有效抑制产生-复合电流,进而提高探测器的工作温度。由于制备工艺可移植于III/V族成熟工艺以及存在晶格完全匹配的衬底等优势,InAsSb/AlAsSb材料是nBn型红外探测器的首选。简单介绍了InAsSb/AlAsSb nBn型红外探测器的研究现状、工作原理以及近期的研究成果。通过生长试验实现了良好的材料表面质量、晶体质量和光学性能。相关结果表明,在制备器件时,nBn结构中势垒层的掺杂浓度不应低于8×1016cm-3,否则就不利于减小nBn型器件的暗电流。     

红外技术与应用XXXII(SPIE Vol.6206)

第一部分 一、短波红外成像技术 1．从可见光到红外：一种新的探测器方法（P．Chorie等,法国红外公司） 2．用离子注入法制作低暗电流高性能Hg0．57Cd0．43Te红外探测器的进展（R．Olshove等,美国雷神视觉系统公司）     

基于CIS暗电平校正算法研究与实现

本文为了减弱暗电流对CMOS图像传感器图像质量的影响,分别对常用的模拟端暗电平校正算法和数字端暗电平校正算法进行了分析和研究,通过将黑行分阶段处理,在不同阶段分别进行模拟和数字校正,提出了一种改进的暗电平校正算法。并在一款像素阵列为640×480的CMOS的图像传感器芯片内集成了该方法的电路。经过测试表明,该方法获得了较好的校正暗电平,误差小,解决了暗电平差异较大情况下出现的颜色偏差问题和亮度不饱和问题,改善了图像质量。     

高密度垂直集成光电二极管焦平面列阵技术（下）

在p型材料中,俄歇复合包含两个空穴和一个电子,并且被称为俄歇7。对HgCdTe进行的计算表明,当0.2相似文献