低分子量聚丙烯酸钾的合成及其应用

采用水溶液聚合法制备了低分子量聚丙烯酸钾（PAAK），并作为新型消焰剂加入单基发射药中。通过火焰原子吸收光谱法测试了PAAK中钾的含量；用乌氏黏度计测定了特性黏度；采用DSC法研究不同pH值的PAAK与硝化棉（NC）的相容性；利用充氮氧弹法对添加PAAK、硝酸钾KNO₃、硫酸钾K₂SO₄的单基发射药的燃烧残渣进行了对比研究。结果表明，合成的PAAK中，钾的质量分数为15.21%，相对分子量在3 000左右，有利于和NC均匀混合，且在中性或微碱性（pH＝7.0~7.5）的情况与NC相容性良好。与传统的KNO₃、K₂SO₄消焰剂相比，PAAK能够和NC均匀混合，制备均质透明的单基发射药；PAAK发射药的燃烧残渣最少，占发射药质量的0.18%。     

关于外文字符的字体

1.正体外文字母的常用场合(1)计量单位和SI词头符号。(2)数学式中的运算符号和缩写号,如:微分号d,有限增量符号Δ,变分号δ,极限lim,行列式det,最大值max等。(3)其值不变的数学常数符号:圆周率π,自然对数的底e,虚数单位(i电工中常用j)。(4)量符号中为区别其他量而加的具有特定含义的非量符号和非变动性数字符号角标,如势能EP,宏观总截面Σtot,转置矩阵AT等。     

ADI公司扩展工业和仪器仪表应用精密放大器

瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp．）推出总共5个SH7263和SH7203高性能微控制器产品，其最高工作频率为200MHz，集成了一个SuperH系列SH2A-FPU CPU内核和一个支持USB（通用串行总线）标准v2．0高速规范的主机接口。     

热处理对Ti-Mo-V-Nb-Al合金微观结构的影响

形状记忆合金由于其优良的超弹性和形状记忆效应而在医学上有着广泛的应用，其中由于NiTi形状记忆合金相较其它形状记忆合金具有更好的超弹性和生物相容性而得到了广泛的应用。但由于镍元素的毒性，使得开发一种生物相容性更好、无镍且具有良好力学性能的形状记忆合金成为必需。Ti-Mo-V-Nb-Al五元合金就是为此而开发的一种新型形状记忆合金。本研究用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和高分辨电子显微镜（HREM）研究了不同热处理条件对Ti-Mo-V-Nb-Al形状记忆合金微观结构的影响。     

LT6011在霍尔传感器和DAC放大器中的应用

引言具有宽供电电压范围的传统单片微功率运算放大器需要一个大芯片面积,因而导致封装和占位面积都很大。非传统的双路运算放大器LT6011在一种纤巧的新型封装内实现了25μV输入的精准微功率操作以及2.7～36V的电源电压范围,这种3mm×3mm的DFN封装非常之小,甚至没有引线。LT6011还提供了轨至轨输出摆幅,并采用具有超级电流增益放大系数的输入晶体管来实现安培级的输入电流。霍尔传感器放大器图1示出了LT6011被用作一个低功率霍尔传感器放大器时的情形。霍尔传感器的磁灵敏度与加在其两端的DC激励电压成比例。当偏置电压为1V时,该霍尔传…     

网格进入企业

在现阶段，充分利用台式电脑或者笔记本电脑剩余的运算能力仍然更多地处于设想阶段。其中，技术障碍也许并非是最关键的问题。根据最近的某项调查，89%的受访企业用户表示，就网格的部署而言。组织结构是最大的绊脚石。     

宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.