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1.
本文介绍了钢柱冷却器的护炉原理、安装方法及实际效果。  相似文献   
2.
孙帅飞  孔德仁 《测控技术》2014,33(1):153-156
测压铜柱在高低温环境下使用时会带来较大的测压误差,必须进行高低温校准。针对当前测压铜柱高低温静态校准系统中的高低温加载部分使用不便的问题,提出了基于半导体制冷技术对其进行改进。对高低温箱的结构及温度测控系统进行了设计及研制,并进行了温度控制实验,高低温箱可控制在-40~50℃范围内,温度控制精度优于±0.5℃,满足了测压铜柱高低温静态校准的要求。  相似文献   
3.
薛兴涛  孟津  何智清 《半导体技术》2015,40(12):925-929
讨论了铜柱凸块生产工艺中籽晶层厚度和电镀电流密度等关键制程因素对铜柱凸块共面性、晶圆应力、凸块剖面结构和电镀效率等方面的影响.研究结果表明增加电镀籽晶层厚度可以提高凸块共面性;在相同电镀电流密度下,籽晶层越厚,晶圆应力越大;相同的籽晶层厚度下,随着电镀电流密度增加,晶圆应力增加,但增加速率逐渐变慢;低电流密度下铜柱凸块顶部形成盘碟形状的剖面结构,而高电流密度容易使铜柱顶部形成圆拱剖面结构;采用阶梯电镀速率电镀方法与均一慢电镀速率电镀出的铜柱凸块共面性一致,而采用阶梯电镀法既能够提高电镀效率又可以得到较好的铜柱顶部盘碟形剖面结构.  相似文献   
4.
任宁  田野  吴丰顺  尚拴军 《焊接学报》2016,37(10):25-28
基于圣维南原理,采用全局模型和子模型相结合的建模方针,建立倒装芯片封装的有限元模型.分析热循环条件下微铜柱凸点的应力及应变分布,研究高密度倒装芯片封装微铜柱凸点的失效机理,对关键微铜柱凸点的裂纹生长行为进行分析.结果表明,距芯片中心最远处的微铜柱凸点具有最大的变形与应力,为封装体中的关键微铜柱凸点;累积塑性应变能密度主要分布在关键微铜柱凸点的基板侧,在其外侧位置最大,向内侧逐渐减小,这表明裂纹萌生在基板侧微铜柱凸点外侧,向内侧扩展,试验结果与模拟结果相一致.  相似文献   
5.
6.
安吉 《中华民居》2014,(5):15-20
正在湘西边城,与沱江的柔媚水色、古镇王村的绚丽山光相比,大山深处隐藏着的逍遥王城永顺老司别具沧桑和厚重之美。如果不是2014年被列入中国申遗名单,可能很多人都不知有此古建筑群落的存在。是的,这是湖南永顺土司王城,有着"江南紫禁城"和"中国马丘比丘"的辉煌名号,被罗哲文赞为"全国保存完好的西南古堡式民族文化古城",千百年来,它在群山环抱中默默地守候着土家的  相似文献   
7.
铜柱测压法以它操作简单,成本低廉,测试参数稳定,在军事及民用方面有着广泛的用途。但是,它在应用中有许多人为的、环境的因素直接影响着测试精度,铜柱的选择就是极其重要的问题,本文对此提出了新的思想,并进行了试验探索。  相似文献   
8.
介绍了标准铜柱在塑性测压校准系统的重要作用及其鉴选方法。为提高测压铜柱受压后变形量测量准确性,提出了用自适应加权融合算法应用于变形量的融合计算,利用所提供的数据融合出标准偏差最小的数据融合值,以3.5×8.75、4×6.5、8×13测压铜柱实测数据为例,比较分析了各型号铜柱采用自适应加权融合算法与平均估算法、贝赛尔公式计算法的有效性和融合精度的差异,从理论和实践两个方面验证了该方法的有效性,提高了融合精度。  相似文献   
9.
10.
运用恒电流法在铜柱电极上研究了工业磷酸中毒性较大的As(Ⅲ)还原为无毒单质砷的电化学行为。实验表明,当电流密度控制在-0.044 mA/cm2以内时可以很好地将As(Ⅲ)转化为单质砷并抑制砷化氢析出。由塔费尔拟合推算得到As(Ⅲ)转化为单质砷的交换电流密度为-6.324×10-7mA/cm2,此过程为不可逆过程。采用表面积为15.8 cm2的铜柱电极,在电流密度为-0.038 mA/cm2,温度为80℃条件下,将磷酸中As(Ⅲ)含量由10.92×10-6降到0.47×10-6,电流效率达7.55%。  相似文献   
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